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      標(biāo)簽　>　射頻器件

      射頻器件

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      2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 2.1萬 0

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      GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

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      三功分器則有一個輸入口和3個輸出口；當(dāng)然還有四功分器。插入損耗是功分器的重要指標(biāo)。無線信號經(jīng)二功分后能量損失10log2=3dB，再加上無源器件本身的介...

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      2022-12-15 標(biāo)簽：射頻芯片射頻器件 3.4k 0

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      從工程應(yīng)用的角度，深入探討了各種射頻器件和射頻系統(tǒng)的測試和測量問題，并列舉了一些典型的測試案例。

      2022-12-13 標(biāo)簽：射頻測試射頻器件 1k 0

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      1dB壓縮點的定義

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      2022-11-29 標(biāo)簽：非線性系統(tǒng)射頻器件 1.7萬 0

      射頻放功率放大器基本概念

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      2022-11-15 標(biāo)簽：晶體管射頻器件射頻功率放大器 1.3k 0

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