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探索HMC532LP4/LP4E:7.1 - 7.9 GHz MMIC VCO的卓越性能與應(yīng)用
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2026-03-24 標(biāo)簽:射頻應(yīng)用MMIC VCOHMC532LP4/LP4E 479 0
HMC530LP5 / 530LP5E:高性能MMIC VCO的卓越之選
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2026-03-24 標(biāo)簽:射頻應(yīng)用MMIC VCOHMC530LP5 491 0
ADPA1106:2.7 GHz - 3.5 GHz GaN 功率放大器的卓越之選
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2026-01-05 標(biāo)簽:射頻應(yīng)用gan功率放大器ADPA1106 498 0
探索ADL8143低噪聲放大器:特性、規(guī)格與應(yīng)用全解析
探索ADL8143低噪聲放大器:特性、規(guī)格與應(yīng)用全解析 在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,射頻(RF)性能的提升是至關(guān)重要的。低噪聲放大器(LNA)作為射頻前端的...
2026-01-05 標(biāo)簽:低噪聲放大器射頻應(yīng)用ADL8143 370 0
HMC789ST89E:0.7 - 2.8 GHz高性能增益模塊MMIC放大器的深度解析
HMC789ST89E:0.7 - 2.8 GHz高性能增益模塊MMIC放大器的深度解析 在當(dāng)今的射頻(RF)和微波應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)于高性能放大器的需求日益...
2026-01-04 標(biāo)簽:射頻應(yīng)用MMIC放大器HMC789ST89E 438 0
探索HMC441LP3E:6.5 - 13.5 GHz GaAs pHEMT MMIC中功率放大器
探索HMC441LP3E:6.5 - 13.5 GHz GaAs pHEMT MMIC中功率放大器 作為電子工程師,我們一直在尋找性能卓越、應(yīng)用廣泛的放...
2025-12-31 標(biāo)簽:射頻應(yīng)用中功率放大器HMC441LP3E 1.5k 0
HMC3653LP3BE:7 - 15 GHz HBT增益塊MMIC放大器的詳細(xì)解析
HMC3653LP3BE:7 - 15 GHz HBT增益塊MMIC放大器的詳細(xì)解析 在射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域,高性能的放大器是不可或缺的關(guān)鍵組件。今天,我...
2025-12-31 標(biāo)簽:射頻應(yīng)用MMIC放大器HMC3653LP3BE 255 0
探索HMC311SC70(E):DC - 8 GHz InGaP HBT增益模塊MMIC放大器
探索HMC311SC70(E):DC - 8 GHz InGaP HBT增益模塊MMIC放大器 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的放大器對(duì)于各類射頻應(yīng)...
2025-12-31 標(biāo)簽:通信領(lǐng)域射頻應(yīng)用 347 0
探索BGSA14M2N10:超小型天線調(diào)諧SP4T開關(guān)的卓越性能
探索BGSA14M2N10:超小型天線調(diào)諧SP4T開關(guān)的卓越性能 在當(dāng)今的射頻應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)于高性能、小尺寸的天線調(diào)諧開關(guān)的需求日益增長。今天,我們就來深...
2025-12-21 標(biāo)簽:射頻應(yīng)用天線調(diào)諧開關(guān)BGSA14M2N10 940 0
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Spectrum高速數(shù)字化儀TS-M5i.33xx-x16系列具有七種型號(hào),支持10 GS/s的最大采樣率,可提供超過4.7 GHz的帶寬和12位的分辨...
半導(dǎo)體技術(shù)與 EIRP 需求的適應(yīng)性比較
氮化鎵(GaN)是一種二進(jìn)制 III/V 族帶隙半導(dǎo)體,非常適合用于高功率、耐高溫晶體管。氮化鎵功率放大器技術(shù)的 5G 通信潛力才剛剛顯現(xiàn)。氮化鎵具有高...
2020-06-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)5G射頻應(yīng)用 2.4k 0
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