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標(biāo)簽 > 損耗
損耗,一般指損失,受損失或耗費(fèi)的意思。在信號專業(yè)中指信號電平或強(qiáng)度的減少,通常用分貝表示。也指沒有實(shí)際用途的功率耗散。
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空載損耗:當(dāng)變壓器二次繞組開路,一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時,所消耗的有功功率稱空載損耗。
在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計算(所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 2.5k 0
耦合器作為射頻和微波系統(tǒng)中的重要器件,可能會遇到一些常見的故障。以下是一些常見的耦合器故障情況。
作為一名合格的、優(yōu)秀的PCB設(shè)計工程師,我們不僅要掌握高速PCB設(shè)計技能,還需要對其他相關(guān)知識有所了解,比如高速PCB材料的選擇。 這是因?yàn)?,PCB材料...
2023-05-23 標(biāo)簽:pcbPCB設(shè)計損耗 1.5k 0
濾波器的選擇主要從額定電壓、額定電流、頻率、體積以及損耗入手,下面就這些內(nèi)容進(jìn)行簡單的介紹,希望對你在選型過程中有所幫助!
磁滯損耗是鐵磁體等在反復(fù)磁化過程中因磁滯現(xiàn)象而消耗的能量。磁滯指鐵磁材料的磁性狀態(tài)變化時,磁化強(qiáng)度滯后于磁場強(qiáng)度,它的磁通密度B與磁場強(qiáng)度 H之間呈現(xiàn)磁...
本節(jié)分三部分描述PCB板的介質(zhì)層帶來的信號損耗。包括理想的介質(zhì)材料,現(xiàn)實(shí)中的介質(zhì)材料分別施加直流信號和交流信號時的狀況。
2023-04-23 標(biāo)簽:PCB設(shè)計信號完整性損耗 4.2k 0
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC的工...
2023-04-21 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2k 0
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
變壓器的效率計算公式 實(shí)現(xiàn)變壓器最高效率的條件
變壓器的效率是指變壓器輸出功率與輸入功率的比值,通常以百分比表示。效率越高,變壓器消耗的能量就越少,也就是說輸出功率相對于輸入功率的損耗越小。
高分辨率光學(xué)鏈路診斷儀(OCI)基于光頻域反射技術(shù)(OFDR),能輕松測試出光纖鏈路損耗情況。OFDR測試插損方式為,依據(jù)事件點(diǎn)兩側(cè)瑞利散射信號幅值差異...
半橋電路上下橋臂的死區(qū)時間定為190nS,這個時間和LLC電路功率管的ZVS工作狀態(tài),功率管驅(qū)動的可靠性密切相關(guān),同時也影響諧振電流大小和模塊整機(jī)效率 ...
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大,在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下,會使得封裝體和裸芯的溫度更...
由上篇文章介紹可知,當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時漏感能量沒辦法傳遞到副邊去,漏感能量由原邊二極管D給吸收電容充電。假設(shè)漏感能量全部被RCD能量吸收,漏感中儲存的總的能...
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測試,建立了 一種準(zhǔn)確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IG...
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