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標簽 > 新潔能
成立于2013年1月,注冊資本為14,168萬元,擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。
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新潔能150V寬SOA SGT MOSFET產(chǎn)品介紹
寬SOA(安全工作區(qū))MOSFET廣泛應(yīng)用于熱插拔、電池保護、驅(qū)動管等應(yīng)用場景,隨著近年來電動汽車、數(shù)據(jù)中心、激光等領(lǐng)域的興起,表現(xiàn)出蓬勃的市場需求。新...
新潔能NCEP038N10GU:高性能100V N溝道功率MOSFET的理想選擇
在電源轉(zhuǎn)換效率要求日益提高的今天,功率MOSFET作為核心元器件,其性能直接決定了整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。新潔能(NCE)推出的NCEP038N10GU,采用先...
新潔能NCE20TD60B IGBT:高性能600V/20A功率開關(guān)
在電力電子領(lǐng)域,功率器件的選擇直接影響著整機效率、可靠性和成本。新潔能(NCE)推出的NCE20TD60B是一款600V/20A的溝槽柵場截止型(Tre...
新潔能NCE30H12K高效穩(wěn)定的N溝道增強型功率MOSFET
新潔能NCE30H12K是南山電子代理的一款N溝道增強型功率MOSFET,有著出色的電氣性能和可靠的品質(zhì),可以提供極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和低柵...
新潔能NCE6020AQ高效能N溝道增強型功率MOSFET解析與應(yīng)用
新潔能(NCE)推出的NCE6020AQ是一款采用先進溝槽技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下實現(xiàn)了優(yōu)異的導(dǎo)通電阻特性,適用于多...
新潔能250V超快反向恢復(fù)SGT MOSFET產(chǎn)品介紹
在通信、電機控制、工業(yè)電源等硬開關(guān)應(yīng)用場景中,功率MOSFET的反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)效率及可靠性有著重要影響。功率MOSFET反向恢復(fù)電荷大,將導(dǎo)致系統(tǒng)效...
在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計的重要方向。車規(guī)級 PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品,以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 Press...
新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù),特征導(dǎo)通電阻Rsp(導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA)相對上一代降低43.8%,具...
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大...
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