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晶體管

晶體管

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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和伏安特性

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今天為大家介紹晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,分為NPN型和PNP型兩類(lèi),根據(jù)使用材料的不同,將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管,PNP型鍺管和PNP型硅管。

2023-06-03 標(biāo)簽:晶體管PN結(jié)pnp 3.9k 0

芯片里面百萬(wàn)億的晶體管是怎么裝進(jìn)去的?

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光刻 (用紫外線透過(guò)蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會(huì)容易被洗掉, 沒(méi)被照到的地方就保持原樣. 于是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時(shí)還沒(méi)...

2023-06-02 標(biāo)簽:芯片電路晶體管 2k 0

基于Arm的SoC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

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由于接觸電阻增加和IR下降,導(dǎo)致能量損失、性能降低和高溫,向更薄的節(jié)點(diǎn)供電已經(jīng)成為一種挑戰(zhàn)。背面PDN(PowerVia)將電源線從數(shù)據(jù)I/O線路移開(kāi),...

2023-06-02 標(biāo)簽:soc晶體管 784 0

直接耦合兩級(jí)放大電路的直流分析和交流分析

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在多級(jí)放大電路中,每級(jí)之間的耦合方式影響著整個(gè)多級(jí)放大電路的工作性能。而在元器件高度集成化、小型化、輕型化的半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域,更小更強(qiáng)是發(fā)展方向,比如華為...

2023-06-02 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體放大電路 8.7k 0

阻容耦合兩級(jí)放大電路的直流分析和交流分析

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從前面的學(xué)習(xí)中,了解到基本共射極放大電路常用于各種放大器,但是它的放大能力一般。而在實(shí)際中,經(jīng)常需要將微弱的電信號(hào)進(jìn)行放大,基本放大電路是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。因...

2023-06-02 標(biāo)簽:放大器放大電路信號(hào) 1.2萬(wàn) 0

共基極放大電路的直流分析和交流分析

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今天的任務(wù)比較艱巨,除了測(cè)試共基極放大電路的工作特性,我們還要對(duì)共射極、共集電極、共基極這三種組態(tài)的放大電路進(jìn)行比較,從各自的工作特點(diǎn)說(shuō)明分別適合用在哪些場(chǎng)合。

2023-06-02 標(biāo)簽:三極管放大電路晶體管 6.9k 0

晶體管的歷史發(fā)展、工作原理、種類(lèi)及應(yīng)用

晶體管是一種非常重要的電子元件,它是電子器件中最基本的元件之一,也是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心之一。晶體管的出現(xiàn),使得電子器件的體積減小、功耗降低、速度提高,進(jìn)...

2023-06-02 標(biāo)簽:電子元件晶體管FET 7.6k 0

晶體管開(kāi)關(guān)電路計(jì)算實(shí)例(二)

晶體管開(kāi)關(guān)電路計(jì)算實(shí)例(二)

引言:開(kāi)路集電極開(kāi)關(guān)和開(kāi)路發(fā)射極開(kāi)關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān),前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極,后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。 負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)使用更加廣泛,可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS...

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晶體管開(kāi)關(guān)電路計(jì)算實(shí)例(一)

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  引言:三極管是電流型元件,利用偏置電阻產(chǎn)生大于0.7V的Vbe電壓,然后通過(guò)控制電流大小,使晶體管工作在不同的區(qū)。 因此關(guān)于晶體管電路的設(shè)計(jì)相關(guān)計(jì)算...

2023-06-01 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路晶體管 4.9k 0

電子工程師必備的符合知識(shí)大全

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你問(wèn)任何一個(gè)電子專(zhuān)業(yè)的畢業(yè)生,你會(huì)畫(huà)電路圖么?得到的回答大部分是肯定的。甚至電子愛(ài)好者,覺(jué)得電路圖是個(gè)基本功啊!!

2023-06-01 標(biāo)簽:電子工程師原理圖電路圖 2k 0

手機(jī)芯片為啥這么燒錢(qián)?

手機(jī)芯片為啥這么燒錢(qián)?

芯片就像手機(jī)的大腦,我們將輸入信號(hào)作為原材料輸入手機(jī),通過(guò)改變芯片內(nèi)部的走線、邏輯,就能對(duì)輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn)不同的處理方式。

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圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?

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MOSFET的全稱(chēng)為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱(chēng)之為,金屬-氧化層-...

2023-06-01 標(biāo)簽:模擬電路MOSFET晶體管 1.3k 0

一文詳細(xì)告訴你如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式

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今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》。

2023-06-01 標(biāo)簽:英飛凌二極管MOSFET 2.9k 0

一種典型串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路

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生活中,每天都需要給手機(jī)充電,那么你有想過(guò)手機(jī)充電器是如何把AC 220V轉(zhuǎn)換為DC 5V的么,如果你的充電器是快充,可能會(huì)轉(zhuǎn)換成DC 9V。從今天開(kāi)始...

2023-05-31 標(biāo)簽:充電器保護(hù)電路放大電路 3.7k 0

NPN晶體管的構(gòu)造_原理及應(yīng)用

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2023-05-31 標(biāo)簽:晶體管NPN晶體管 4.9k 0

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開(kāi)關(guān)電源紋波不可避免,我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度,達(dá)到這個(gè)目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生,首先要清楚開(kāi)關(guān)電源紋波的種...

2023-05-30 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 3.3k 0

硬件加法器怎么利用基礎(chǔ)門(mén)電路進(jìn)行加法計(jì)算呢?

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我們現(xiàn)在知道,「通電」代表「真」,用邏輯1表示;「不通電」代表「假」,用邏輯0表示。

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常見(jiàn)的晶體管有二極管、三極管和MOS管,主要的邏輯門(mén)電路:與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)等

2023-05-30 標(biāo)簽:三極管二極管MOS管 2.6萬(wàn) 0

淺談蝕刻工藝開(kāi)發(fā)的三個(gè)階段

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納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使...

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研究一種具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能的石墨烯基熱界面材料

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隨著晶體管密度的增加,先進(jìn)制程的芯片需要更強(qiáng)大的散熱能力來(lái)保證電子器件的可靠性。目前,柔性熱界面材料(TIMs)作為T(mén)IM被用在芯片散熱的應(yīng)用中。在實(shí)際...

2023-05-30 標(biāo)簽:晶體管石墨烯熱管理 1.8k 0

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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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