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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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晶體管技術(shù)賦能比斯特智能電動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)精確耐用
傳統(tǒng)的點(diǎn)焊設(shè)備,或依賴于笨重的工頻交流技術(shù),或受限于早期功率器件的性能,在精度、一致性與自適應(yīng)能力上已漸露疲態(tài)。正是在這一精密制造的關(guān)鍵隘口,晶體管技術(shù)...
2026-01-17 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 1.1k 0
MPS發(fā)布車規(guī)級(jí)TFT LCD偏壓驅(qū)動(dòng)器MPQ5613D-AEC1
近日,MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布車規(guī)級(jí)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)偏壓驅(qū)動(dòng)器——MPQ5613D-AEC1。該產(chǎn)品通過了AEC-Q100 Grade ...
2026-01-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器lcd晶體管 3.1k 0
MIT團(tuán)隊(duì)提出一種垂直集成的BEOL堆疊架構(gòu)
近期發(fā)現(xiàn),通過在傳統(tǒng)CMOS芯片的后端工藝(BEOL)層添加額外的有源器件層,可將原本僅用于布線的區(qū)域改造為兼具邏輯晶體管與存儲(chǔ)功能的垂直堆疊結(jié)構(gòu)。
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝...
解析MAT14:匹配式單片四晶體管的卓越性能與應(yīng)用
解析MAT14:匹配式單片四晶體管的卓越性能與應(yīng)用 引言 在電子工程領(lǐng)域,高性能晶體管對(duì)于各類電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。Analog Devices的MAT14...
2026-01-15 標(biāo)簽:晶體管mat14電路應(yīng)用 299 0
專家洞察 I 融合之勢(shì):為何邊緣GPU無法承受“專精化”之重
專家洞察主機(jī)經(jīng)濟(jì)的啟示想知道圖形技術(shù)的發(fā)展方向?關(guān)注主機(jī)市場就對(duì)了。并非因?yàn)橹鳈C(jī)技術(shù)精湛或代表著計(jì)算機(jī)圖形學(xué)的巔峰——事實(shí)并非如此。但它們確實(shí)占據(jù)著游戲...
晶體管點(diǎn)焊技術(shù)先鋒比斯特智能電動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)
傳統(tǒng)的焊接方式因其能耗高、精度低、熱影響區(qū)大等缺點(diǎn),已難以滿足新能源汽車、3C電子、精密儀器等領(lǐng)域?qū)Ω咝?、微損、一致性焊接的苛刻要求。正是在這一背景下,...
2026-02-01 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 1.1k 0
IGBT:物理結(jié)構(gòu) ? ? ? ?IGBT 是一種半導(dǎo)體晶體管或半導(dǎo)體開關(guān),由四個(gè)交替的半導(dǎo)體材料層 (PNPN) 構(gòu)成。當(dāng)正確的電壓施加到器件的柵極時(shí)...
Diodes公司推出DXTN/P 78Q與80Q系列雙極型晶體管
Diodes 公司(Diodes)(Nasdaq: DIOD)宣布推出 DXTN/P 78Q 與 80Q 系列,擴(kuò)充符合汽車規(guī)范的雙極型(Bipolar...
單光子層面實(shí)現(xiàn)光束精準(zhǔn)控制
美國普渡大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了單光子層面精準(zhǔn)控制光束,并以此研發(fā)出一種能在單光子強(qiáng)度下工作的“光子晶體管”,這是實(shí)現(xiàn)光基技術(shù)全部潛力的關(guān)鍵一步,可為光子芯片...
SiC功率模塊在三電平風(fēng)電變流器應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)的研究報(bào)告
隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、清潔化轉(zhuǎn)型的步伐加速,風(fēng)力發(fā)電作為可再生能源的中堅(jiān)力量,正經(jīng)歷著從規(guī)模化擴(kuò)張向高質(zhì)量發(fā)展轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期。尤
半橋SiC模塊并聯(lián)應(yīng)用工程實(shí)踐指南與短路過流2LTO兩級(jí)關(guān)斷保護(hù)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高壓、高功率密度方向的迅猛發(fā)展,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)正...
2026-02-03 標(biāo)簽:晶體管SiC關(guān)斷保護(hù) 685 0
從肖克利實(shí)驗(yàn)室的晶體管革命,到集成電路的精密布局,低功耗始終是電子工程學(xué)的“元問題”——它定義了設(shè)備物理極限的突破方向,也塑造了技術(shù)普惠的底層邏輯。而今...
比斯特850B晶體管雙面自動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)成為動(dòng)力電池產(chǎn)線的“效率引擎”的依據(jù)
作為電芯成組過程中的重要工序,焊接的速度、質(zhì)量與穩(wěn)定性,往往是整條產(chǎn)線效率提升的瓶頸所在。深圳比斯特自動(dòng)化設(shè)備有限公司深刻洞察這一產(chǎn)業(yè)需求,推出的850...
2025-12-17 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 1.1k 0
選型手冊(cè):VS3698AD-K 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AD-K是一款面向30V低壓超大電流場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-252封裝,適...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 769 0
選型手冊(cè):VS3510AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-252封裝,適配低壓電源的高側(cè)開...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 387 0
選型手冊(cè):VS3510AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配低壓電源的負(fù)載開關(guān)、...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 462 0
選型手冊(cè):VS4603GPHT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)...
2025-12-16 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 371 0
選型手冊(cè):VS3618AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AD是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-252封裝,適配低壓中功率電源管...
2025-12-15 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 499 0
一款用于開漏模式和推拉模式的2bit雙向電平轉(zhuǎn)換器MS6212D
電平轉(zhuǎn)換器是一種電子裝置,主要用于解決不同電壓邏輯電路間的信號(hào)兼容問題,實(shí)現(xiàn)低電壓數(shù)字芯片與高電壓模擬電路等組件間的通信接口匹配。
2026-01-16 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器晶體管 136 0
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