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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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從計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)看操作系統(tǒng)
盡管依然能夠制造出更多更小的晶體管,但已不像過去那樣了,單個晶體管的功耗已不能很好地按比例縮小。由于傳感器、移動設(shè)備、終端與數(shù)據(jù)中心等大多數(shù)產(chǎn)品都不能容...
2023-01-09 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)晶體管 900 0
因此集電極開路的輸出視為NPN晶體管,它允許電流吸收到公共端。對于這樣集電極開路電路,必須有一個電源才能使輸出正常工作。當(dāng)我們要求未連接任何電源時計(jì)算輸...
場效應(yīng)管MOSFET 是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場效應(yīng)管MOSFET的主體與源極端子相連,從...
2023-01-08 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 3.7k 0
由于單片設(shè)計(jì)中的現(xiàn)代高端圖形處理器一代又一代地變得越來越復(fù)雜和昂貴,AMD 決定為其 RDNA3 圖形處理器采用全新的革命性小芯片設(shè)計(jì)。
傳統(tǒng)的功能分區(qū)和專業(yè)領(lǐng)域(如電路設(shè)計(jì)、布局設(shè)計(jì)和驗(yàn)證)正在迅速模糊。開發(fā)人員跨不同技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力是關(guān)鍵。這些技術(shù)趨勢的影響不僅限于產(chǎn)品開發(fā),它們還深...
干貨 | 如何降低晶體管和變壓器損耗,提高開關(guān)電源效率?
干貨 | 如何降低晶體管和變壓器損耗,提高開關(guān)電源效率?
晶體管一直是許多電子產(chǎn)品中的主要組件,并且已經(jīng)存在了 70 多年。如果不是他們的不斷發(fā)展和完善,他們也不會有現(xiàn)在的計(jì)算能力。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
每種技術(shù)未來在市場上取得成功的秘訣在于電動汽車和混合動力電動汽車。對于 SiC,EV/HEV 市場確實(shí)是最佳選擇;預(yù)計(jì)超過 30 億美元的市場中至少有 ...
通過寬帶隙技術(shù)最大限度地來提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
增加功率密度和縮小電源供應(yīng)并不是什么新鮮事。這一趨勢預(yù)計(jì)將繼續(xù)下去,從而催生新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。此博客向設(shè)計(jì)工程師介紹 STMicroelectron...
要從事模擬電路設(shè)計(jì),必須扎實(shí)掌握晶體管電路的基本知識,推薦一邊學(xué)習(xí)一邊實(shí)驗(yàn)、仿真,PSPICE之類的都可以,能理解一個就行,同時要注意多想多動手。
基于模型的GAN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識:GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
基于模型的 GAN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識:GAN 晶體管 S 參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
設(shè)計(jì)汽車系統(tǒng)的挑戰(zhàn)及相應(yīng)解決方法
如果您正在設(shè)計(jì)汽車系統(tǒng),可能會同時面臨器件級和系統(tǒng)級挑戰(zhàn),包括尺寸限制、故障條件,以及設(shè)計(jì)重復(fù)使用以縮短開發(fā)時間的需求。因此,本文將詳細(xì)分析這些挑戰(zhàn)并提...
2022-12-22 標(biāo)簽:晶體管電機(jī)驅(qū)動器汽車系統(tǒng) 1.5k 0
到目前為止,大多數(shù)計(jì)算設(shè)備都是由一個處理單元和一個物理上獨(dú)立的內(nèi)存組件組成的。創(chuàng)建一種可以有效執(zhí)行這兩種功能的設(shè)備(稱為內(nèi)存中邏輯架構(gòu))可以幫助顯著簡化...
絕緣柵雙極型晶體管IGBT簡介、結(jié)構(gòu)及原理
所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其...
2022-12-20 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管晶體管 5.4k 0
斯坦福大學(xué)電氣工程教授,臺積電前企業(yè)研究副總裁、IEEE Fellow黃漢森(H.-S. Philip Wong)指出:「器件技術(shù)將面向特定應(yīng)用領(lǐng)域,就...
全環(huán)繞柵極晶體管將如何改變半導(dǎo)體行業(yè)
針對微芯片行業(yè)速度最快、最精密且最具能效的集成電路的爭奪戰(zhàn)在全球各大制造巨頭之間愈演愈烈,這正是芯片制造商為何要將全新的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)集成到其最先進(jìn)的節(jié)...
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