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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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與塊狀材料相比,納米線中的電子狀態(tài)確實(shí)有所不同。由于納米線的量子效應(yīng),納米線的電子將占據(jù)離散的帶,而不是連續(xù)的狀態(tài)。即使每個(gè)電子都受到量子限制——因?yàn)榧{...
盡管可以使用雙鑲嵌來集成如釕和鉬這樣的銅替代品,但它們可能更適合金屬蝕刻的減法方案(subtractive schemes),自鋁互連時(shí)代以來,這種方案...
有趣的是,對(duì)于新的 N3E 節(jié)點(diǎn),高密度 SRAM 位單元尺寸達(dá)到 0.021 μm2,這與他們的 N5 節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同,并沒有縮小。N3B ...
新產(chǎn)品名為“AC Servo Drive Σ-X”,轉(zhuǎn)速從此前的每分鐘6000轉(zhuǎn)提高至7000轉(zhuǎn)。停止電機(jī)時(shí)的精度相當(dāng)于環(huán)繞JR山手線1圈后以誤差4毫米...
2022年模擬市場規(guī)模預(yù)計(jì)同比增長20.8%
小信號(hào)晶體管的這種水平預(yù)測似乎是合理的,但功率晶體管的需求由于汽車電氣化而持續(xù)增長,因此我們應(yīng)該可以預(yù)期同比增長超過10%。
系統(tǒng)性良率問題取代隨機(jī)缺陷成為先進(jìn)工藝芯片制造主要問題
最近最重要的變化之一是 3D 檢測和計(jì)量學(xué)習(xí)的增加。finFET 和納米片晶體管的采用發(fā)生在前端,而高級(jí)封裝則需要在后端進(jìn)行 3D 計(jì)量。
英特爾Ann Kelleher:系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化將引領(lǐng)摩爾定律未來創(chuàng)新
Ann Kelleher介紹了晶體管誕生75年之后的新進(jìn)展 在IEDM 2022(2022 IEEE國際電子器件會(huì)議)全體會(huì)議上發(fā)表演講之前,英特爾副總...
某種意義上來說,芯片很脆弱。在生產(chǎn)中,外界環(huán)境的各種變化,比如PVT,都可能會(huì)使芯片產(chǎn)生不同的誤差,從而導(dǎo)致同一晶圓上不同區(qū)域上的芯片里的晶體管速度變快...
2022-12-12 標(biāo)簽:芯片電路設(shè)計(jì)晶體管 8.1k 0
朗駿智能JL-2系列之JL-224B旋鎖式電子式光控開關(guān)
該系列產(chǎn)品采用帶有光電晶體管傳感器的電子電路設(shè)計(jì),配有電涌放電器(MOV)。特別是,JL-224B為滿足BS5972標(biāo)準(zhǔn),為客戶配備了頂部傳感器。
2022-12-12 標(biāo)簽:傳感器光控開關(guān)晶體管 1.9k 0
晶體管縮放:將FinFET擴(kuò)展到5nm以上;啟用門全方位拐點(diǎn)
FinFET路線圖有三個(gè)重要的技術(shù)挑戰(zhàn):翅片彎曲、高k金屬柵極(HKMG)和接口關(guān)鍵尺寸縮放以及源極/漏極電阻。應(yīng)用材料公司正在使用新材料和工藝協(xié)同優(yōu)化...
使用場效應(yīng)管時(shí)的注意事項(xiàng)
場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,而晶體管是既利用多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,由于少數(shù)載流子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對(duì)于環(huán)境變化較大...
2022-12-09 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管MOS 2.7k 0
微波網(wǎng)絡(luò)中S參數(shù)是什么, 有什么含義
下面以二端口網(wǎng)絡(luò)為例說明各個(gè)S參數(shù)的含義,如上圖所示。二端口網(wǎng)絡(luò)有四個(gè)S參數(shù),Sij代表的意思是能量從j口注入,在i口測得的能量,如S11定義為從 Po...
2022-12-08 標(biāo)簽:晶體管微波網(wǎng)絡(luò)微波系統(tǒng) 5.5k 0
AM: 溶液法制備高性能P型WSe2薄膜晶體管及CMOS器件應(yīng)用
近年來,二維層狀材料因其出色的電學(xué)和機(jī)械性能,在柔性和可穿戴集成器件領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。特別是,各種二維材料的單晶納米片可以分散在溶液中,形成n型和p型...
英特爾描繪了到2030年實(shí)現(xiàn)萬億級(jí)晶體管芯片設(shè)計(jì)的路線圖
英特爾向今年的國際電子器件會(huì)議(IEDM)提交了幾篇研究論文,強(qiáng)調(diào)了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計(jì)劃。這些新信息支持了首席執(zhí)行官Pat...
微電子所等在超強(qiáng)抗輻射碳納米管器件與電路研究中取得進(jìn)展
新一代航天器對(duì)宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),是后摩爾時(shí)代最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體技術(shù)之一,并具有較強(qiáng)的空間...
DARPA微系統(tǒng)技術(shù)將雷達(dá)探測范圍提高2到3倍
當(dāng)前,射頻系統(tǒng)的運(yùn)行效能遠(yuǎn)低于電子容量的極限,僅僅是因?yàn)槭艿阶鳛樯漕l放大器基本構(gòu)件的晶體管變得太熱的限制。為此,美國防高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)在11...
對(duì)于大多數(shù)通用計(jì)算應(yīng)用程序而言,晶體管仍將是非常重要的計(jì)算元件,”Samavedam 說。“人們不能忽視數(shù)十年來不斷優(yōu)化晶體管所實(shí)現(xiàn)的效率。
2022-12-01 標(biāo)簽:晶體管 789 0
嵌入式源漏選擇性外延(Embedded Source and Drain Selective Epitaxy)
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層,利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長,僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
最初通過PMOS技術(shù)達(dá)到可接受的良率。在這之后,一項(xiàng)關(guān)鍵的額外設(shè)計(jì)變更——埋層接觸孔(buried contacts)顯著提高了良率,并實(shí)現(xiàn)了更小尺寸的...
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