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      標(biāo)簽　>　晶體管

      晶體管

      晶體管

      +關(guān)注78人關(guān)注

      晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

      文章：6377個(gè) 瀏覽：148305次 帖子：853個(gè)

      晶體管資訊

      有機(jī)晶體管基本元件的構(gòu)建、工作原理及柔性高密度陣列的制備策略

      據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，清華大學(xué)深圳國際研究生院徐曉敏團(tuán)隊(duì)從有機(jī)晶體管基本元件（有機(jī)場效應(yīng)晶體管、電解質(zhì)門控晶體管、有機(jī)電化學(xué)晶體管）的構(gòu)建、工作原理到...

      2022-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電子器件 2.7k 0

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      2022-11-28 標(biāo)簽：晶體管神經(jīng)元 1.2k 0

      8x8x8 LED立方體的制作

      今天，我們就來介紹如何做一個(gè)我們自己的8x8x8 LED立方體，希望入門級(jí)愛好者能夠順利完成它。

      2022-11-25 標(biāo)簽：led晶體管Arduino 2.8萬 0

      IGBT模塊常規(guī)測量以及故障維修方法

      將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集...

      2022-11-25 標(biāo)簽：三極管IGBT晶體管 3k 0

      JL-2系列之JL-217 NEMA接口 旋鎖式數(shù)控光控開關(guān)

      該系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)了帶有紅外濾波光晶體管的微處理器電路，并配備電涌放電器（MOV）。此外，預(yù)設(shè)的5-20秒的時(shí)間延遲控制功能可以避免夜間由于聚光燈或閃電造成...

      2022-11-25 標(biāo)簽：光控開關(guān)晶體管朗駿智能 1.8k 0

      展望碳納米管晶體管的未來

      碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark H...

      2022-11-25 標(biāo)簽：碳納米管晶體管 2.2k 0

      鋁/銅互連工藝與雙鑲嵌法（AL/Cu Interconnect and Dual Damascenes）

      鋁/銅互連工藝是指將前段工藝制備的晶體管連接起來的工藝。硅片上的金屬互連工藝過程是應(yīng)用化學(xué)方法和物理方法制備金屬連線的過程，這些金屬線在IC電路中負(fù)責(zé)傳...

      2022-11-24 標(biāo)簽：晶體管金屬 1.2萬 0

      關(guān)于芯片、半導(dǎo)體和集成電路之間的區(qū)別

      半導(dǎo)體主要由四個(gè)組成部分組成：集成電路（integrated circuit），光電器件，分立器件，傳感器，由于集成電路又占了器件80%以上的份額，因此...

      2022-11-24 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 4.8k 0

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      據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，臺(tái)積電的每片晶圓銷售價(jià)格從亞10nm工藝節(jié)點(diǎn)開始呈指數(shù)級(jí)增長，其中3nm的晶圓價(jià)格高達(dá)20,000美元。

      2022-11-23 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工晶體管 2.5k 0

      為什么石墨烯在低溫下的特性使量子計(jì)算越來越可行

      　　有一些處理任務(wù)的示例已由專用硬件處理。例如，圖形處理通過用于圖像處理和顯示渲染的專用芯片加速。然而，研究人員預(yù)計(jì)，與傳統(tǒng)的硬件加速器相比，量子計(jì)算機(jī)...

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      UintedSiC銀燒結(jié)技術(shù)在碳化硅市場中獨(dú)樹一幟

      隨著邏輯晶體管面積不斷減小至亞微米級(jí)尺寸，它能以更低的總體成本進(jìn)行更快的運(yùn)行并損耗較低的功率。事實(shí)上，晶體管的進(jìn)一步集成會(huì)面臨熱密度方面的挑戰(zhàn)。管理基片...

      2022-11-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管碳化硅 1.4k 0

      高K金屬柵工藝（HKMG）

      目前，高K柵介質(zhì)與金屬柵極技術(shù)已廣泛應(yīng)用于 28mmn 以下高性能產(chǎn)品的制造，它在相同功耗情況下可以使集成電路的性能大幅度提高，泄漏電流大幅下降。

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      摩爾定律、后摩爾時(shí)代以及Chiplet概念

      確實(shí)，太多專業(yè)概念需要科普，光靠自己去理解其中關(guān)系和概念其實(shí)挺困難的，簡直頭都大了。而且術(shù)業(yè)有專攻，不是專家自己擅長的領(lǐng)域不一定會(huì)覆蓋到，因此哪怕產(chǎn)業(yè)專...

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      國家空間科學(xué)中心空間天氣學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳睿副研究員、韓建偉研究員團(tuán)隊(duì)與北京大學(xué)電子學(xué)院張志勇教授課題組、中科院微電子所李博研究員課題組合作，針對(duì)碳納米...

      2022-11-16 標(biāo)簽：碳納米管晶體管 1.6k 0

      張衛(wèi)：先進(jìn)CMOS制造工藝的技術(shù)演進(jìn)及自主發(fā)展思考

      環(huán)柵器件溝道形成是在Si襯底上外延生長SiGe/Si的超晶格結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)行選擇性刻蝕形成堆疊Si納米片溝道。該工藝的關(guān)鍵是：①外延高質(zhì)量的SiGe/Si...

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      一個(gè)太陽能驅(qū)動(dòng)的智能微型機(jī)器人身上安裝了“大腦”

      康奈爾大學(xué)的研究人員結(jié)合了表面電化學(xué)促動(dòng)器(surfaceelectrochemical actuators, 簡稱SEAs)和硅光伏(PVs)來克服這...

      2022-11-16 標(biāo)簽：機(jī)器人電化學(xué)晶體管 1.3k 0

      使用商業(yè)加密標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)遙測數(shù)據(jù)

      　　在美國，自 1970 年代后期以來，分類遙測一直是加密數(shù)據(jù)，因?yàn)閺?qiáng)制要求所有遙測數(shù)據(jù)在傳輸過程中都必須安全。同時(shí)，許多非機(jī)密數(shù)據(jù)歷來都是未加密傳輸?shù)?..

      2022-11-15 標(biāo)簽：接口晶體管飛行器 1.5k 0

      模塊工藝——隔離工藝（Isolation）

      最早的隔離技術(shù)是 pn 結(jié)隔離，因?yàn)榧由戏聪蚱珘?，pn結(jié)就能起到很好的天然隔離作用。但是，由于其需要較寬的耗盡層，面積占比和電容均較大，響應(yīng)速度慢，不適...

      2022-11-15 標(biāo)簽：集成電路工藝晶體管 9.8k 0

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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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      jf_06730664 鬼不愁 jf_78150839 首金田SJT jf_67310868 jf_33630924 海水一滴 efans_80e021 jf_77234663 愛笑的y jf_80780083 jf_29010282

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