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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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GaN 提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率,使其成為制造高效電壓轉(zhuǎn)換器中硅的可行替代品。與硅相比,GaN 具有許多優(yōu)勢(shì),包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開(kāi)發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu),2具有由電壓驅(qū)動(dòng)...
新的GaN技術(shù)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)基于GaN的HEMT
雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單,但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先,通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài),從...
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si),因?yàn)樗馁Y源豐富且價(jià)格實(shí)惠。然而,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...
除了可以被視為利基領(lǐng)域的航空航天和國(guó)防之外,GaN在電信市場(chǎng)中也占有重要地位,其中高功率密度、開(kāi)關(guān)頻率和效率(結(jié)合小尺寸)是強(qiáng)制性要求。
電動(dòng)汽車車載充電器中的寬帶隙 (WBG) 晶體管
汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新在汽車設(shè)計(jì)的幾乎所有方面都在快速發(fā)展,包括底盤、動(dòng)力總成、信息娛樂(lè)、連接和駕駛輔助系統(tǒng)。由于駕駛員的擔(dān)憂和壓力增加,對(duì)電池電動(dòng)汽車 ...
2022-07-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車晶體管車載充電器 2k 0
克服5nm節(jié)點(diǎn)以下未來(lái)晶體管技術(shù)的挑戰(zhàn)(上)
“半導(dǎo)體時(shí)代”始于 1960 年集成電路的發(fā)明。在集成電路中,所有有源-無(wú)源元件及其互連都集成在單個(gè)硅晶片上,在便攜性、功能性、功率和性能方面具有眾多優(yōu)...
你有什么最喜歡的關(guān)于舊技術(shù)的故事嗎?您是否渴望被新技術(shù)取代而不再可用的東西? 我妻子最近過(guò)生日。知道她有多愛(ài)她的狗(他們是她的孩子,她愛(ài)他們的程度不亞于...
晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時(shí),到達(dá)下一個(gè)工作狀態(tài)所需的過(guò)渡時(shí)間很短,但不是瞬時(shí)的,會(huì)產(chǎn)生能量損耗(開(kāi)關(guān)損耗)的浪費(fèi)。開(kāi)關(guān)損耗占功率轉(zhuǎn)換器損耗的很大一部分。
2022-07-27 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管人工智能 1.2k 0
GaN 行業(yè)旨在證明 GaN 解決方案的 預(yù)期壽命至少與硅 MOSFET 相同,理想情況下,壽命更長(zhǎng)。該行業(yè)和 JEDEC JC-70 委員會(huì)正在努力為...
Microchip Technology 宣布推出屬于其空間系統(tǒng)管理器 (SSM) 產(chǎn)品系列的抗輻射混合信號(hào)電機(jī)控制器。在太空任務(wù)中,空間和重量總是具有...
近年來(lái),技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。它以令人印象深刻的速度運(yùn)行,要跟上它并不容易。想想智能手機(jī)及其多種形式的電信技術(shù),從 4G 到 5G。光纖是一種簡(jiǎn)單的玻璃...
2022-07-26 標(biāo)簽:智能手機(jī)晶體管量子計(jì)算機(jī) 1.8k 0
隨著我們的設(shè)備變得更小、更快、更節(jié)能,并且能夠容納更多的數(shù)據(jù),自旋電子學(xué)可能會(huì)幫助延續(xù)這一趨勢(shì)。電子學(xué)是基于電子流的,而自旋電子學(xué)是基于電子的自旋。
2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)晶體管計(jì)算 1.4k 0
為實(shí)現(xiàn)未來(lái)可持續(xù)的全球能源網(wǎng)絡(luò),世界所有主要經(jīng)濟(jì)體和地區(qū)都在采用脫碳和限制溫室氣體排放,并制定了不同程度的法規(guī)和激勵(lì)措施。在法規(guī)、激勵(lì)措施和有吸引力...
作者研究了四個(gè)商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹,正如原始文章中所報(bào)道的,所有測(cè)試的器件都可以在低溫...
5G 設(shè)計(jì)世界處于不斷變化的狀態(tài),正如本文所示,功率放大器芯片完全是這一轉(zhuǎn)變的一部分。同樣顯而易見(jiàn)的是,5G 容量革命的進(jìn)程將影響功率放大器設(shè)計(jì)的所...
介紹一種使用分立式CoolSiC?MOSFET所獲得的測(cè)試結(jié)果
選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓,從而...
2022-07-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 2.5k 0
MoS2疊層納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的模擬
該研究結(jié)合第一性原理和TCAD仿真跨尺度仿真模型,研究了在應(yīng)用于主流工藝3nm節(jié)點(diǎn)的堆疊型晶體管工藝下,二維材料在I-V、C-V特性等方面的優(yōu)勢(shì)。他們發(fā)...
盡管有機(jī)半導(dǎo)體已經(jīng)在顯示技術(shù)中找到了應(yīng)用,但到目前為止,該技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的晶體管只有有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)。雖然自O(shè)FET誕生以來(lái)的幾十年里,這項(xiàng)技術(shù)...
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