AI助力設計工藝遷移，破解“缺芯”難題

造成芯片短缺的原因十分復雜，其中之一在于制造產能的缺口不均。傳統(tǒng)工藝節(jié)點的制造產能明顯不足，但12nm、16nm等工藝節(jié)點的產能卻仍有富余，因此前者受到...

2023-05-25 標簽：芯片晶圓AI 1.6k 0

3nm及以下的5D提取需求

有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構的鰭片會產生許多電容值，必須...

2023-05-25 標簽：電容晶圓FinFET 1k 0

濕式化學蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現(xiàn)出強烈的共振。然而，...

2023-05-25 標簽：半導體晶圓蝕刻 2.3k 0

大族半導體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質切割是一種將半導體晶圓分離成單個芯片或晶粒的激光技術。該過程是使用精密激光束在晶圓內部形成改質層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標簽：晶圓SiC激光切割 2.9k 0

IGBT模塊結構及老化簡介

對于工程設計人員來講，IGBT芯片的性能，可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是，系統(tǒng)設計時，這些性能能夠發(fā)揮出來多少，就要看“封裝“了，畢竟夏天穿著棉襖工作...

2023-05-25 標簽：英飛凌晶圓逆變器 2.5k 0

芯片制造和測試數(shù)據(jù)分析在半導體行業(yè)的重要性

芯片制造和測試過程產生的數(shù)據(jù)量是巨大的，壓倒性的，以至于變得毫無用處，除非有一種有效的方法來收集和分析它。與其他數(shù)據(jù)密集型流程一樣，需要適當?shù)拇髷?shù)據(jù)分析...

2023-05-24 標簽：芯片半導體晶圓 3.9k 0

抓出半導體工藝中的魔鬼－晶圓表面金屬污染分析

早先對于晶圓表面金屬的濃度檢測需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進，偵測極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術以全反射...

2023-05-24 標簽：晶圓反應器半導體工藝 5.7k 0

一片晶圓可以產出多少芯片？

芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片完成電路加工，出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測試過程，在...

2023-05-23 標簽：芯片晶圓封裝 7.7k 0

倒裝芯片，挑戰(zhàn)越來越大

正在開發(fā)新的凸點（bump）結構以在倒裝芯片封裝中實現(xiàn)更高的互連密度，但它們復雜、昂貴且越來越難以制造。

2023-05-23 標簽：晶圓封裝內存 1.3k 0

先進封裝之TSV及TGV技術初探

隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進封裝是后摩爾時代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標簽：晶圓SiP封裝 5.9k 0

一文讀懂讀透 半導體行業(yè)設備

刻蝕設備的重要性僅次于光刻機。而隨著NAND閃存進入3D、4D時代，要求刻蝕技術實現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。

2023-05-22 標簽：晶圓光刻機半導體設備 5.3k 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡介

經過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-22 標簽：芯片半導體晶圓 2.8k 0

離子注入工藝之退火處理

高溫爐廣泛用于進行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。

2023-05-22 標簽：晶圓RTP 7.6k 0

半導體晶圓測試的探針卡制作及應用

精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導熱性、高附著強度和大的載流能力。使用溫度范圍寬，可以達到-55℃～850℃，熱膨脹系數(shù)接近于硅芯片。在多溫區(qū)測試環(huán)境...

2023-05-19 標簽：晶圓半導體測試探針卡 7.4k 0

Wolfspeed不斷發(fā)展以應對供應挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅（SiC）長期以來一直被稱為功率器件的理想半導體技術，通過設計和制造創(chuàng)新，通過提供更高的功率密度，更好的高速開關性能，更高的擊穿場，更高的導熱性，...

2023-05-19 標簽：電動汽車晶圓碳化硅 2k 0

簡述SiP項目成功的三要素

裸芯片(die,bare die,bare chip)，通常是指半導體元器件制造完成，封裝之前的產品形式。裸芯片通常是以晶圓形式(wafer form)...

2023-05-19 標簽：芯片半導體元器件 3.7k 0