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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

氮化鎵半導(dǎo)體設(shè)備

按晶圓尺寸計算，GaN半導(dǎo)體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計在預(yù)測期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個批...

2023-02-12 標(biāo)簽：晶圓 GaN 半導(dǎo)體器件 797 0

硅基氮化鎵什么意思

硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關(guān)注。在最近十年的初期，當(dāng) Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術(shù)可減低 LED 照...

2023-02-12 標(biāo)簽：led 晶圓硅基氮化鎵 1.7k 0

8英寸晶圓級膠體量子點短波/中波紅外焦平面成像陣列制備技術(shù)

論文中提出了一種捕獲型紅外器件工作原理及設(shè)計方法（圖1）。通過液相配體交換的方法，實現(xiàn)對量子點摻雜類型及濃度的精準(zhǔn)調(diào)控。在近本征量子點薄膜頂層涂覆具有強...

2023-02-10 標(biāo)簽：探測器晶圓芯片技術(shù) 2.5k 0

射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生...

2023-02-10 標(biāo)簽：功率放大器晶圓氮化鎵 1.7k 0

LFPAK系列全新8*8封裝提升功率效率

為了適應(yīng)業(yè)界對節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要，Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID，將功率密...

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓封裝 3.1k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 5.3k 0

半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料【三】

設(shè)備功能：將兩片晶圓互相結(jié)合，并使表面原子互相反應(yīng)，產(chǎn)生共價鍵合，合二為一，是實現(xiàn)3D晶圓堆疊的重要設(shè)備。

2023-02-07 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造 4.4k 0

刻蝕工藝基礎(chǔ)知識簡析

刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。

2023-02-06 標(biāo)簽：晶圓 SEM 電子顯微鏡 8.1k 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運...

2023-02-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 6.2k 0

中科院物理研究所實現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個器件的襯底所占的成本，這是一個國際上發(fā)展的趨勢。

2023-02-03 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.9k 0

芯片內(nèi)部，如何互聯(lián)？

隨著摩爾定律的放緩，芯粒（Chiplet）和異構(gòu)集成 (HI：heterogenous integration) 提供了一種令人信服的方式來繼續(xù)改進(jìn)性能...

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片 cpu 晶圓 3.6k 0

什么是硅片？為什么硅片表面如此光滑？

拋光液必須現(xiàn)場調(diào)配，立即使用。通過測量容積或液位實時確保各種成分的配比，實現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進(jìn)的芯片制程采用非接觸式的稱重計量法來做配比，采用自動化的高精密...

2023-02-02 標(biāo)簽：晶圓 CMP 硅片 8.8k 0

差動放大器支持低功耗、高性能絕對值電路

本文介紹如何配置雙通道差動放大器（無需外部元件），以提供精密絕對值輸出。與傳統(tǒng)方法相比，這種創(chuàng)新方法可以實現(xiàn)更好的精度、更低的成本和更低的功耗。

2023-02-01 標(biāo)簽：整流器運算放大器晶圓 5.9k 0

半導(dǎo)體制造工藝超薄晶圓磨削減薄技術(shù)解析

在后道制程階段，晶圓（正面已布好電路的硅片）在后續(xù)劃片、壓焊和封裝之前需要進(jìn)行背面減?。╞ackthinning）加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體...

2023-01-29 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造 8.4k 0

晶圓級封裝Bump制造工藝關(guān)鍵點解析

射頻前端（RFFE，RadioFrequency Front-End）模組國內(nèi)外手機終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器（PA，Power Amplifier...

2023-01-13 標(biāo)簽：晶圓封裝制造工藝 5.4k 0

半導(dǎo)體集成電路和晶圓有何關(guān)系？半導(dǎo)體晶圓制造工藝介紹

半導(dǎo)體集成電路是將許多元件集成到一個芯片中以處理和存儲各種功能的電子組件。由于半導(dǎo)體集成電路是通過在晶圓的薄基板上制造多個相同電路而產(chǎn)生的，因此晶圓是半...

2023-01-11 標(biāo)簽：集成電路晶圓晶圓制造 6.7k 0

臺積電3nm工藝技術(shù)細(xì)節(jié)解讀

最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實現(xiàn)更短的 Lg。

2023-01-10 標(biāo)簽：臺積電晶圓 3nm 5.9k 0

晶圓是什么？晶圓拋光機的定義及應(yīng)用

晶圓拋光機作為半導(dǎo)體晶圓拋光配備，主要優(yōu)點有新型實用、經(jīng)濟(jì)成本低、容易實現(xiàn)。

2023-01-06 標(biāo)簽：晶圓拋光機 3k 0

從PIC芯片至800G/1.6T系統(tǒng)測試解決方案

強大的自動化水平：用于自動化測試流程和數(shù)據(jù)管理的完整軟件套件；執(zhí)行復(fù)雜邏輯，如搜索、優(yōu)化和并行執(zhí)行；先進(jìn)的導(dǎo)航工具、可移植序列和邏輯學(xué)

2023-01-05 標(biāo)簽：晶圓測試系統(tǒng) 1.8k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝詳解

與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費用。

2022-12-29 標(biāo)簽：晶圓工藝等離子 4.3k 0

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半導(dǎo)體芯片

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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晶圓

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