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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

晶圓級多層堆疊技術(shù)的可靠性管理

5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級多層堆疊技術(shù)。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上，并利用 Si 中介層上的高密度走線進(jìn)行互連。

2022-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 2.1k 0

12英寸晶圓價格將2023年平均上漲20%

硅晶圓作為半導(dǎo)體產(chǎn)品最重要的原材料，其市場規(guī)模的波動方向也基本與全球半導(dǎo)體銷售額一致，且波動幅度更大，具有明顯的周期性。

2022-09-16 標(biāo)簽：晶圓硅晶圓 3.2k 0

晶圓級多層堆疊技術(shù)的兩項關(guān)鍵工藝

晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，縮寫WLP)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢，近年來發(fā)展迅...

2022-09-15 標(biāo)簽：晶圓封裝堆疊 4.9k 0

晶圓級多層堆疊技術(shù)及其封裝過程

隨著 5G 和人工智能等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的不斷推進(jìn)，單純通過縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來的系統(tǒng)功能和性能提升已難以適應(yīng)未來發(fā)展的需求。晶圓級多...

2022-09-13 標(biāo)簽：晶圓封裝堆疊 6.3k 0

晶圓需求暴增，晶圓廠如何快速增加晶圓產(chǎn)量？

大多數(shù)成熟的晶圓廠都知道他們有性能問題，需要更多關(guān)于根源的信息。為了開發(fā)解決其特定問題的解決方案，他們必須超越一般化，并確定在工具級別出現(xiàn)瓶頸的方式和位置。

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 2.6k 0

晶圓級封裝技術(shù)的現(xiàn)狀、應(yīng)用和發(fā)展研究

傳統(tǒng)上，IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I/O連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來實(shí)現(xiàn)。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴(kuò)大，I/...

2022-08-22 標(biāo)簽：晶圓封裝 IC芯片 5k 0

FinFET 發(fā)展的演變

技術(shù)路線圖始終是雙向的，一半來自技術(shù)方面的進(jìn)步，另一半來自市場的需求。

2022-08-10 標(biāo)簽：MOSFET 3D 晶圓 3.8k 0

芯片制造的6個關(guān)鍵步驟

在智能手機(jī)等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中，科技的改變悄然發(fā)生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來的，其中又有哪...

2022-08-08 標(biāo)簽：晶圓芯片制造光刻 4.1k 0

表面處理解決方案提高SiC晶圓效率和成本

半導(dǎo)體是電子電路中使用最廣泛的元件之一，它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導(dǎo)體器件的制造過程通常用于創(chuàng)建集成電路，包括一系列多個照相和化學(xué)處理步驟，在...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 3.3k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（上篇）

當(dāng)聽到“半導(dǎo)體”這個詞時，你會想到什么？它聽起來復(fù)雜且遙遠(yuǎn)，但其實(shí)已經(jīng)滲透到我們生活的各個方面：從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵，我們?nèi)粘Ｉ钏蕾?..

2022-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造 4.3k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（中篇）

本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 6.1k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個步驟：互連、測試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 4.7k 0

濕法蝕刻工藝的原理

濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大...

2022-07-27 標(biāo)簽：晶圓工藝蝕刻 4.1k 0

一文解析扇出型封裝技術(shù)

常見的Fan-In(WLCSP)通?？梢苑譃锽OP(Bump On Pad)和RDL(Redistribution Layer)。BOP封裝結(jié)構(gòu)簡單，B...

2022-07-25 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)芯片封裝 2.5萬 1

芯片制造的光刻支出如何隨著各種節(jié)點(diǎn)縮小演變歷程

單片設(shè)計每個晶圓有 30 個好的die，而小芯片 MCM 設(shè)計每個晶圓有 79 個好的die。假設(shè)所有有缺陷的die都必須扔進(jìn)垃圾桶。如果沒有芯片良率收...

2022-07-22 標(biāo)簽：cpu 晶圓光刻 1.6k 0

晶圓鍵合中使用的主要技術(shù)

晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個或多個基板或晶片相互連接和化學(xué)過程。晶片鍵合用于各種技術(shù)，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)...

2022-07-21 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)晶片鍵合 4k 0

IGBT晶圓的應(yīng)用說明

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片...

2022-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 IGBT 3.4k 0

用于MEMS器件的先進(jìn)晶圓級封裝解決方案

許多MEMS器件需要保護(hù)，以免受到外部環(huán)境的影響，或者只能在受控氣氛或真空下運(yùn)行。當(dāng)今MEMS器件與CMOS芯片的高度集成，還需要專門用于MEMS器件的...

2022-07-15 標(biāo)簽：濾波器晶圓 5.2k 0

硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 1.9k 0

晶圓切片簡述與關(guān)鍵工藝參數(shù)

先進(jìn)封裝(advanced packaging)的后端工藝(back-end)之一，將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開槽，以利后續(xù)制程或功能性測試。

2022-07-10 標(biāo)簽：晶圓封裝切片 7.2k 0

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