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標(biāo)簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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| 型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| BC850CLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V; |
獲取價格
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| MMBT6521LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@2mA,10V; |
獲取價格
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| NSV1C200LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):490mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V; |
獲取價格
|
|
| SBC847BLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; |
獲取價格
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|
| BCW65CLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):32V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; |
獲取價格
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| BC856ALT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V; |
獲取價格
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| MMBT589LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):310mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,2V; |
獲取價格
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| MMBT918LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):15V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):225mW; |
獲取價格
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| MMBT6429LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):500@100?A,5V; |
獲取價格
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| BC817-25LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; |
獲取價格
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| SMMBTA06LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價格
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| SMMBT4403LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; |
獲取價格
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| BCW32LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):32V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; |
獲取價格
|
|
| SMMBT4401LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V; |
獲取價格
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| NSS1C200LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):490mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,2V; |
獲取價格
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| MMBT5087LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100?A,5V; |
獲取價格
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| BCW66GLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; |
獲取價格
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| BC857CLT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; |
獲取價格
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| MMBT5550LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):140V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; |
獲取價格
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| MMBTH10LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):-;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@4mA,10V; |
獲取價格
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|
| MMBTA55LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價格
|
|
| BCX17LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價格
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|
| SMMBT3906LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
|
|
| NSS40200LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):220@500mA,2V; |
獲取價格
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| BCX19LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價格
|
|
| BC807-25LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; |
獲取價格
|
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| BSS63LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):30@25mA,1V; |
獲取價格
|
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| BC817-40LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; |
獲取價格
|
|
| BCW68GLT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@10mA,1V; |
獲取價格
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|
| BC858BLT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V; |
獲取價格
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