完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
文章:322個(gè) 瀏覽:75069次 帖子:13個(gè)
| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| MPSA06 |
獲取價(jià)格
|
||
| PN2222ATF | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價(jià)格
|
|
| NSI45025AZT1G |
獲取價(jià)格
|
||
| FDT86246L | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):150V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):2.2W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):189mΩ@10V,2A; |
獲取價(jià)格
|
|
| LM431BCZX | 電壓基準(zhǔn)類型:并聯(lián);輸出類型:可調(diào);輸入電壓:-;輸出電流:100mA;精度:±1%;溫度系數(shù):50ppm/℃;靜態(tài)電流:-;噪聲(0.1Hz-10Hz):-;噪聲(10Hz-10kHz):-;工作溫度:-25℃~+85℃@(Ta); |
獲取價(jià)格
|
|
| BC63916-D74Z | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):830mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; |
獲取價(jià)格
|
|
| 2N3906TF | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價(jià)格
|
|
| PN2907BU | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):20uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):-;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| PN2222ABU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):10nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| SS8050CBU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| KSC945CYTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| NJT4030PT3G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,300mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;特征頻率(fT):160MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| J109 | 此器件適用于需要極低導(dǎo)通電阻的模擬或數(shù)字開(kāi)關(guān)應(yīng)用。源自 Process 58。 |
獲取價(jià)格
|
|
| 2N5550TA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):140V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; |
獲取價(jià)格
|
|
| PZT2222AT3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):1.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價(jià)格
|
|
| KSC945YTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V; |
獲取價(jià)格
|
|
| KSA992FATA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V; |
獲取價(jià)格
|
|
| J175-D26Z | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價(jià)格
|
|
| J113-D74Z | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價(jià)格
|
|
| 2N4401TAR | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征頻率(fT):250MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| 2N3906TAR | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價(jià)格
|
|
| KSA708YTA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| KSA1281YTA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):1W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V; |
獲取價(jià)格
|
|
| BCP56-16T3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征頻率(fT):130MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| FAN431AZXA | 電壓基準(zhǔn)類型:并聯(lián);輸出類型:可調(diào);輸入電壓:-;輸出電流:100mA;精度:±1%;溫度系數(shù):50ppm/℃;靜態(tài)電流:-;噪聲(0.1Hz-10Hz):-;噪聲(10Hz-10kHz):-;工作溫度:-25℃~+85℃@(Ta); |
獲取價(jià)格
|
|
| NJV4031NT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V; |
獲取價(jià)格
|
|
| LM431CCZ | 電壓基準(zhǔn)類型:并聯(lián);輸出類型:可調(diào);輸入電壓:-;輸出電流:100mA;精度:±0.5%;溫度系數(shù):50ppm/℃;靜態(tài)電流:-;噪聲(0.1Hz-10Hz):-;噪聲(10Hz-10kHz):-;工作溫度:-25℃~+85℃@(Ta); |
獲取價(jià)格
|
|
| 2N6517BU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):350V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):20@50mA,10V; |
獲取價(jià)格
|
|
| PN2222ATA | The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications. |
獲取價(jià)格
|
|
| KSD5041RTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V; |
獲取價(jià)格
|
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |