1700V氮化鎵在多路輸出反激電源中的應(yīng)用

在多路輸出反激式電源中，如果希望每一路輸出都具備良好的調(diào)節(jié)精度，最常見的做法，是在反激級之后增加DC-DC后級穩(wěn)壓器。

2026-01-26 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器氮化鎵反激電源 2.9k 0

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)...

2026-01-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵GaN 3.6k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

在文章"提升開關(guān)頻率（一） 芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽：氮化鎵GaN芯導(dǎo)科技 2.1k 0

深圳爭妍微電子《快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應(yīng)用場景匹配技巧》

快恢復(fù)二極管（FRD）作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，其反向恢復(fù)時(shí)間（trr）直接決定電路開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）水平及系統(tǒng)效率，是高頻功率轉(zhuǎn)換場景中選...

2025-12-24 標(biāo)簽：可控硅快恢復(fù)二極管SiC 3.3k 0

六邊形戰(zhàn)士——氮化鎵

產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性...

2025-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3.4k 0

案例分析：米物140W 3C1A智顯秒充氮化鎵充電器CA514 Pro

前言最近充電頭網(wǎng)拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個(gè)接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支...

2025-12-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 3.9k 0

30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案

30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得...

2025-11-28 標(biāo)簽：電壓氮化鎵認(rèn)證 4.4k 0

德州儀器集成驅(qū)動(dòng)器的GaN功率級產(chǎn)品介紹

今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場景中的主角。

2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.2萬 0

透射電鏡在氮化鎵器件研發(fā)中的關(guān)鍵作用分析

在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細(xì)節(jié)——這種...

2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵透射電鏡 6.6k 0

?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要

TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 8.2k 0

?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...

2025-09-26 標(biāo)簽：ldoFET場效應(yīng)晶體管 7.4k 0

TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 6.6k 0

納微雙向氮化鎵開關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)單級變換新范式

如今，超過70%的高壓功率變換器采用 “兩級” 硅基拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。例如，典型的AC-DC電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）會(huì)先配置PFC級，再串聯(lián)DC-DC級，中...

2025-09-26 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1.1萬 0

33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化

33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信...

2025-08-28 標(biāo)簽：氮化鎵引腳電源芯片 7.3k 0

氮化鎵電源芯片U8727AHE的特性

氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路...

2025-08-25 標(biāo)簽：氮化鎵電源芯片 7.6k 0

氮化鎵（GaN）技術(shù) | 電源領(lǐng)域的革命性突破

氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì)，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性...

2025-08-21 標(biāo)簽：電源氮化鎵 8.8k 0

氮化鎵電源IC U8732的主要特征

磁芯飽和會(huì)導(dǎo)致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關(guān)管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關(guān)電源主變壓器在工作過程中不會(huì)進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。氮化鎵...

2025-08-18 標(biāo)簽：變壓器氮化鎵電源IC 6k 0

基于德州儀器LMH13000打造下一代激光雷達(dá)系統(tǒng)

人類駕駛汽車已有一百多年歷史，但安全記錄卻不盡如人意。盡管如今的車輛比以往任何時(shí)候都更安全，但在世界許多地區(qū)，汽車事故和傷亡人數(shù)仍在不斷上升。這一趨勢在...

2025-08-16 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵激光雷達(dá) 6.8k 0

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）丨助力 LED 緩沖層性能優(yōu)化

在現(xiàn)代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應(yīng)用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結(jié)合技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上制備了不同緩沖...

2025-08-11 標(biāo)簽：led氮化鎵GaN 5.3k 0

PD65W氮化鎵快充電源應(yīng)用方案

設(shè)計(jì)大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容...

2025-08-06 標(biāo)簽：電源氮化鎵同步整流電路 3.8k 0