硅基氮化鎵是做什么用？

在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...

2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 1.2k 0

氮化鎵充電器和其他快充充電器的區(qū)別是什么？

材質(zhì)上比普通的快充更加的高級(jí)，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢(shì)。

2023-02-09 標(biāo)簽：變壓器充電器氮化鎵 5k 0

氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。

2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 1.1k 0

氮化鎵晶體管的優(yōu)點(diǎn)

法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向?yàn)?00）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。

2023-02-08 標(biāo)簽：集成電路MOSFET晶體管 1.4k 0

氮化鎵晶體管應(yīng)用領(lǐng)域

基于GaN的轉(zhuǎn)換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的增加，基于硅的轉(zhuǎn)...

2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 887 0

東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵快充芯片 3.1k 0

氮化鎵的用途是什么

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，　氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微...

2023-02-06 標(biāo)簽：led發(fā)光二極管氮化鎵 6.8k 0

硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝

氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

2023-02-06 標(biāo)簽：氮化鎵外延片硅基氮化鎵 5.6k 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.6k 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí)，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 1.2k 0

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 4.3k 0