氮化鎵技術(shù)常用的領(lǐng)域有哪些

隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場(chǎng)景，幫助大家掌握...

2023-02-02 標(biāo)簽：適配器氮化鎵PC電源 2.6k 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開(kāi)始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 657 0

什么是 GaN 氮化鎵？1

對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開(kāi)始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標(biāo)簽：充電器功率氮化鎵 1.2k 0

氮化鎵你了解多少？

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，氮化鎵基功率器件...

2023-02-02 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.7k 0

GaN如何在電子工程行業(yè)掀起一場(chǎng)革命

GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用，包括微波射頻 (RF) 和功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

2023-01-29 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 639 0

氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用

了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？

2023-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 2.5k 0

下一代無(wú)線通信的氮化鎵功率放大器

下一代無(wú)線通信的氮化鎵功率放大器

2022-12-22 標(biāo)簽：功率放大器無(wú)線通信氮化鎵 917 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開(kāi)始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 1.7萬(wàn) 0

氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 4.1k 0

炸管，探頭也被燒壞了？

在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開(kāi)發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí)，都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試，這時(shí)大多數(shù)工程...

2022-12-09 標(biāo)簽：功率器件探頭氮化鎵 1.8k 0

氮化鎵半導(dǎo)體的興起！

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...

2022-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.5k 0

中國(guó)采用氮化鎵實(shí)現(xiàn)了20米無(wú)線輸電

氮化鎵不僅受到近距離無(wú)線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無(wú)線充電，而且遠(yuǎn)距離無(wú)線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。

2022-12-08 標(biāo)簽：氮化鎵無(wú)線輸電 3.4k 0

6吋氮化鎵單晶背后關(guān)鍵核心技術(shù)解析

制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。

2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 3.3k 0

GaN高功率整流器的設(shè)計(jì) 氮化鎵整流器的電氣特性

報(bào)告內(nèi)容包含： 動(dòng)機(jī) 理論計(jì)算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)

2022-11-17 標(biāo)簽：整流器氮化鎵GaN 728 0

影響Micro LED實(shí)現(xiàn)全彩顯示的因素有哪些

MICLEDI認(rèn)為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場(chǎng)景的...

2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵Micro LEDAR眼鏡 1.2k 0

淺析氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)

　　Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 　　驅(qū)動(dòng)電源-常規(guī)雙極驅(qū)動(dòng)程序 　　GaN GIT （G...

2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源 990 0

氮化鎵器件的性能優(yōu)勢(shì)

? ? ? 審核編輯：彭靜

2022-11-02 標(biāo)簽：氮化鎵 1.1k 0

“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計(jì)方案

當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動(dòng)性和極端操作環(huán)境的限制時(shí)，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...

2022-10-26 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 1.4k 0

碳化硅SiC和氮化鎵GaN的應(yīng)用

在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。

2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 2k 0