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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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意法半導(dǎo)體推出氮化鎵功率開(kāi)關(guān)管半橋模塊MasterGaN6
意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開(kāi)關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6，該功率系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）在一個(gè)封裝內(nèi)集成新的BCD柵極驅(qū)動(dòng)...
2026-03-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片 250 0
聯(lián)想最新INBOX標(biāo)配的65W 49cc氮化鎵充電器，以1.32W/cm3的高功率密度實(shí)現(xiàn)便攜與性能的平衡。拆解后不難發(fā)現(xiàn)，支撐這一核心優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵器件之...
東海半導(dǎo)體亮相2026功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會(huì)
3月11日，以“智驅(qū)未來(lái)?芯聚生態(tài)”為主題的 2026第三屆功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會(huì)暨金剛石產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇 在 合肥 舉行。大會(huì)匯聚了來(lái)自產(chǎn)業(yè)...
2026-03-19 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 170 0
功率模塊前沿技術(shù)解析：寬禁帶+高集成，引領(lǐng)電力電子新趨勢(shì)
功率模塊的技術(shù)迭代，始終圍繞“高效、高密、高可靠、智能化”核心，寬禁帶技術(shù)和高集成設(shè)計(jì)是當(dāng)下最核心的發(fā)展方向。對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)，提前掌握前沿技術(shù)，才能...
深圳爭(zhēng)妍微受邀參與 2026AI+新材料產(chǎn)業(yè)對(duì)接交流會(huì)在比亞迪總部舉行
深圳爭(zhēng)妍微受邀參與“2026AI+新材料產(chǎn)業(yè)對(duì)接交流會(huì)”在比亞迪全球總部隆重舉行。
高效賦能多口快充：捷捷微電助力安克160W氮化鎵智顯充電器實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)降壓
近日，全球知名充電品牌安克創(chuàng)新推出旗艦級(jí)氮化鎵充電器——Prime智顯充Pro160W，憑借其多口智能功率分配、實(shí)時(shí)功率顯示屏與緊湊高效的氮化鎵架構(gòu)，為...
鍵合率達(dá)95%！三菱電機(jī)推進(jìn) GaN-on-Diamond 新技術(shù)
憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場(chǎng)及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料?；贕aN的高電子遷移率晶體管...
低阻高導(dǎo)｜捷捷微電 JMSL1006PG 助力小米大功率氮化鎵充電方案
近日，小米推出了全新的140W8合1氮化鎵桌面充電站，以一體化的多接口設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的多設(shè)備同時(shí)快充能力，以及高效的氮化鎵技術(shù)，為用戶(hù)打造了整潔、高效的桌面...
中國(guó)&全球唯一氮化鎵傳感器公司美鎵傳感獲融資
2026年2月，美鎵傳感在新一輪股權(quán)融資中獲得國(guó)新國(guó)證投資的領(lǐng)投，這是公司自合肥市產(chǎn)投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國(guó)新國(guó)證投資是中國(guó)國(guó)新、國(guó)新...
晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí) 破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題
晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí)破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借高擊穿電壓、高導(dǎo)熱系數(shù)、耐高溫等優(yōu)異特...
意法半導(dǎo)體氮化鎵方案賦能高頻應(yīng)用新場(chǎng)景
快充之所以能做到體積更小、充電更快，核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵（GaN）。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表，氮化鎵的材料特性十分突出，為產(chǎn)品升級(jí)...
2026-02-27 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵快充 662 0
喜報(bào) | 東科半導(dǎo)體入選安徽省2025年度表現(xiàn)突出的創(chuàng)新型企業(yè)名單
2月24日，在安徽省委、省政府高規(guī)格召開(kāi)的“新春第一會(huì)”——全省科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展大會(huì)暨省管干部學(xué)習(xí)貫徹黨的二十屆四中全會(huì)精神研討班開(kāi)班式上，備...
Power Integrations榮獲2025年度模擬與電源管理技術(shù)先鋒獎(jiǎng)
由21ic電子網(wǎng)主辦的“2025年度電子產(chǎn)業(yè)卓越評(píng)選”已于2026年2月2日在北京圓滿(mǎn)結(jié)束。本次評(píng)選覆蓋電子產(chǎn)業(yè)鏈各關(guān)鍵環(huán)節(jié)，共設(shè)九大獎(jiǎng)項(xiàng)類(lèi)別。
2026-02-11 標(biāo)簽：電源管理電子產(chǎn)業(yè)氮化鎵 1.1k 0
英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布將為EnphaseEnergy,Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供...
技術(shù)集成與工程實(shí)踐：高空低壓環(huán)境下閃蒸噴霧相變機(jī)理及其對(duì)機(jī)載微通道換熱器傳熱強(qiáng)化的實(shí)驗(yàn)研究
隨著航空技術(shù)的飛速演進(jìn)，機(jī)載電子設(shè)備正朝著集成化、高性能化的方向快速發(fā)展?，F(xiàn)代軍用雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、多功能射頻陣列以及飛行控制計(jì)算機(jī)的功率密度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)...
自從氮化鎵（GaN）器件問(wèn)世以來(lái)，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)
新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)CoolGaNG5系列650V雙向開(kāi)關(guān)（BDS）是一款單片集成器件，能夠在兩個(gè)方向上主動(dòng)阻斷電...
2026-01-19 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵雙向開(kāi)關(guān) 2.7k 0
英飛特氮化鎵LED驅(qū)動(dòng)電源助力邁向可持續(xù)照明新時(shí)代
在“碳達(dá)峰、碳中和”成為全球共識(shí)的背景下，提升能源利用效率已成為各行業(yè)的核心任務(wù)。照明約占全球電力消耗的15%，而LED 驅(qū)動(dòng)電源作為照明系統(tǒng)的核心部件...
2026-01-19 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源英飛特 2.1k 0
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝...
爭(zhēng)妍微快訊：反傾銷(xiāo)調(diào)查劍指日本半導(dǎo)體材料
2026年1月7日，中國(guó)商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷(xiāo)立案調(diào)查，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期追溯至2022年初。這一針對(duì)半導(dǎo)體核心原料的調(diào)查，迅速引...
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