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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NV...
納微十載征程，引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
在功率半導(dǎo)體行業(yè)，納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際，納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷...
2024-02-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1.6k 0
最高額！芯片制造商格芯將獲美國(guó)15億美元補(bǔ)貼
2月20日消息，據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一，美國(guó)政府表示，作為美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》的一部分，它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金，用于支持該公司擴(kuò)大...
韓國(guó)晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金，繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度
盡管東晶圓的2023年銷售與運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)雙雙大幅縮水，分別相較去年減少了31%和65%，但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金，鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭(zhēng)奪日...
東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案，覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓?fù)浼軜?gòu)
前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動(dòng)器+GaN功率器件等，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使...
納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
納微半導(dǎo)體，作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車電源...
2024-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.9k 0
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升，五大策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)
截至2023年，1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過了2400萬(wàn)顆，得到了新能源汽車、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場(chǎng)的客戶好評(píng)。其中SiC MOSFET營(yíng)收迅速提升，...
美國(guó)一家GaN晶圓廠倒閉，總投資超過10億人民幣！
近日，美國(guó)一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉，該企業(yè)還有一個(gè)晶圓廠，總投資超過10億人民幣，而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū)，倒閉原因是什么？
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露，實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。
理論性能遠(yuǎn)超SiC？GaN功率二極管的發(fā)展歷程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用，是從2018年開始的。自手機(jī)快充功能在市場(chǎng)上迅速普及，經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展，氮化鎵HEMT器件早已被...
瑞薩電子收購(gòu)氮化鎵供應(yīng)商Transphorm
瑞薩電子近日宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)，以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)美國(guó)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購(gòu)總額為3.39億美元，相當(dāng)...
2024-01-23 標(biāo)簽：氮化鎵瑞薩電子功率半導(dǎo)體 1.6k 0
半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...
2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵 2.5k 0
基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異...
大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案
2024年1月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ...
高性能、小體積，GaN在智能家居中開拓廣闊市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小，但同時(shí)能夠保證最好的性能，氮化鎵（Ga...
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件
全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（T...
瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Trans...
GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn)：垂直GaN市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)
NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車市場(chǎng)可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。
2024-01-17 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵 1.5k 0
此次收購(gòu)將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù)，從而將其業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。
2024-01-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車瑞薩氮化鎵 1.4k 0
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