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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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爭(zhēng)妍微快訊：反傾銷調(diào)查劍指日本半導(dǎo)體材料
2026年1月7日，中國(guó)商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷立案調(diào)查，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期追溯至2022年初。這一針對(duì)半導(dǎo)體核心原料的調(diào)查，迅速引...
氮化鎵上車進(jìn)行時(shí)：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗(yàn)證
2025年12月，匯川聯(lián)合動(dòng)力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長(zhǎng)安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國(guó)新能源汽車...
2026-01-09 標(biāo)簽：氮化鎵 2.2k 0
泰克科技助力氮化鎵技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用落地
2025年12月，匯川聯(lián)合動(dòng)力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長(zhǎng)安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國(guó)新能源汽車...
2026-01-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵泰克科技 5.8k 0
時(shí)光邁入2026年新程，半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新浪潮持續(xù)澎湃！在這承前啟后的節(jié)點(diǎn)，我們不妨回望剛剛過去的2025年——半導(dǎo)體行業(yè)在技術(shù)革新與市場(chǎng)變革中加速迭代，...
2026-01-07 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體氮化鎵 3.1k 0
深耕質(zhì)量賽道 鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭(zhēng)妍微電子獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證
近日，深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn)，成功通過中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)審核，榮獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證，并獲頒專用標(biāo)...
音質(zhì)與穩(wěn)定雙突破！爭(zhēng)妍微大功率功放三極管2SC5200音響功率放大配對(duì)2SA1943
在大功率音響功放領(lǐng)域，2SC5200與2SA1943互補(bǔ)配對(duì)三極管是核心功率器件，其配對(duì)精度、熱穩(wěn)定性直接決定音響的音質(zhì)還原度、功率輸出能力及使用壽命。...
快充國(guó)產(chǎn)替代新突破！爭(zhēng)妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD，替代英諾賽科INN650D02
在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能等高頻需求，成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核...
2025-12-23 標(biāo)簽：MOSFET快恢復(fù)二極管氮化鎵 2.3k 0
國(guó)產(chǎn)替代突破！深圳爭(zhēng)妍微工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可控硅系列賦能汽車空調(diào)升級(jí)，替代NXP BTA20
車規(guī)級(jí)元器件的國(guó)產(chǎn)替代已進(jìn)入‘深水區(qū)’，尤其是汽車空調(diào)、電控等核心場(chǎng)景，對(duì)器件的溫寬適應(yīng)性、抗干擾能力要求極致。NXP BTA20能長(zhǎng)期占據(jù)市場(chǎng)，核心在...
國(guó)產(chǎn)替代成趨勢(shì)！爭(zhēng)妍微600V快恢復(fù)二極管TO-220變頻器專用替代BYV26C賦能變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)
在工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)浪潮下，變頻器作為核心控制設(shè)備，對(duì)關(guān)鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中，600V快恢復(fù)二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件，...
存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局：力積電成焦點(diǎn)，功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國(guó)際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4...
功率半導(dǎo)體賦能清潔能源轉(zhuǎn)型 共筑綠色發(fā)展新生態(tài)
據(jù)媒體報(bào)道，我國(guó)已建成世界規(guī)模最大的清潔能源供應(yīng)體系。2012年至2024年，我國(guó)以年均3.4%的能源消費(fèi)增速支撐了年均6.1%的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，能耗強(qiáng)度累計(jì)...
怎么區(qū)分快充和普通充電器？從倍思氮化鎵快充看核心差異
當(dāng)下,給手機(jī)選擇充電器的時(shí)候,“充電5分鐘通話2小時(shí)”的快充體驗(yàn)與“一充就是大半天”的普通充電形成了鮮明對(duì)比。但是市面上產(chǎn)品繁多,面對(duì)五花八門的選擇,我...
2025年12月，第十八屆中國(guó)工業(yè)論壇與第三屆消費(fèi)者信賴品牌盛典大會(huì)在北京同期舉辦。大會(huì)以“融合創(chuàng)新 工業(yè)當(dāng)強(qiáng)”為主題，中國(guó)工業(yè)報(bào)社社長(zhǎng)徐金寶、原工信部...
2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET可控硅快恢復(fù)二極管 1.8k 0
概要： 安森美（onsemi ） 與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成全新合作協(xié)議，進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將...
AI＋ 激活中國(guó)市場(chǎng)新動(dòng)能 跨國(guó)企業(yè)與本土力量共探產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
中國(guó)大市場(chǎng)正持續(xù)釋放全球級(jí)機(jī)遇，更成為全球創(chuàng)新成果的核心應(yīng)用場(chǎng)。隨著跨國(guó)企業(yè)紛紛通過深化本土化布局、加碼數(shù)字化與AI應(yīng)用融合等路徑，尋求與中國(guó)市場(chǎng)的長(zhǎng)期...
【HPMicro inside】高爆發(fā)氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案
本文導(dǎo)讀JMD101是一款基于EtherCAT通信的高爆發(fā)關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，面向高端工業(yè)/機(jī)器人場(chǎng)景，集電源、驅(qū)動(dòng)、通信與控制技術(shù)于一體，專為實(shí)現(xiàn)高精度...
2025-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 2.5k 0
納微半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略合作
加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（...
2025-12-04 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.5k 0
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó) 該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價(jià)值 氮化鎵?(G...
英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
【2025年11月21日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日宣布將為Enphase Ener...
Power Integrations榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)之年度電源管理獎(jiǎng)
2025國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中華喜來登酒店舉辦。在此次展會(huì)上，Power Integr...
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