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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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全球氮化鎵功率半導體領(lǐng)導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺...
在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應(yīng)用中消失。但一級制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用...
GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...
作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導體，是因為它們...
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干...
作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯...
GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展
重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)...
2023-09-28 標簽：氮化鎵 1k 0
PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù)，在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計環(huán)節(jié)的各個方面，從外延生長到晶...
2023-09-27 標簽：MOSFET電壓場效應(yīng)晶體管 681 0
西電廣州第三代半導體創(chuàng)新中心通線，中國科學院院士郝躍領(lǐng)銜
西安電子科技大學表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導體技術(shù)公共...
2023-09-25 標簽：新能源汽車半導體技術(shù)氮化鎵 2.2k 0
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容？? 氮化鎵充電器常用貼片Y電容，主要是因為它具有以下幾個優(yōu)點： 1. 體積小 貼片Y電容的尺寸較小，體積小巧，可以方...
第三代半導體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅
隨著全球進入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導體高能量轉(zhuǎn)換效率半導體材料開始...
當今開關(guān)電源設(shè)計中的五大問題： （1）高效率，（2）高功率密度，（3）低待機功耗，（4）高可靠性，（5）低成本。隨著PD和適配器行業(yè)的發(fā)展，需要相同或...
大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，K...
如何選擇性價比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產(chǎn)品
選擇氮化鎵芯片時，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景選擇合...
氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色，氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器，監(jiān)測和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式，確?？斐溥^程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充...
氮化鎵和碳化硅作為第三代半導體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導體具有高穿透電場、高導熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導率等特點。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...
長電科技加速擴充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導體市場解決方案營收有望大幅增長
新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)...
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