一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面

近年來，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-29 標(biāo)簽：無線通信諧振器氮化鎵 2.3k 0

氮化鎵芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎？

氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電...

2023-08-28 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 3.2k 0

Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 ...

2023-08-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 637 0

哪款氮化鎵芯片在第三代半導(dǎo)體中相對(duì)突出？

KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封裝的650V（200mΩ）氮化鎵（GaN）。它是一款常關(guān)器件，將KeepTops最新的高壓GaN HEMT...

2023-08-22 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝 1.1k 0

氮化鎵的一個(gè)報(bào)告

GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作，因此設(shè)計(jì)人員可以更輕松地在窄帶放大器...

2023-08-17 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 1.8k 0

氮化鎵充電器方案之多口協(xié)議IP2726 A+C共享方案

英集芯廠家推出一款I(lǐng)P2726改進(jìn)版本，可以很好地解決此類問題，具體型號(hào)為IP2726_BS1的多口協(xié)議芯片，在氮化鎵充電器方案中的A+C共享方案采樣電...

2023-08-16 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 2.9k 0

面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...

2023-08-04 標(biāo)簽：電阻器led燈激光器 2.2k 0

GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國(guó)電動(dòng)車應(yīng)用市場(chǎng)

【中國(guó)上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)...

2023-08-03 標(biāo)簽：氮化鎵 769 0

納微半導(dǎo)體：氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn)，抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí)，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...

2023-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 3.1k 0

商務(wù)部、海關(guān)總署決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開始生效

今天是2023年8月1日，是偉大的中國(guó)人民解放軍的建軍節(jié)，也是中華人民共和國(guó)經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)，商務(wù)部、海關(guān)總署決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開始生效的日子...

2023-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.3k 0

大大減少體積及損耗！羅姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅來襲

為進(jìn)一步滿足消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出的更高節(jié)能要求，以實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展，羅姆開發(fā)出集650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Pow...

2023-07-27 標(biāo)簽：芯片IC氮化鎵 2k 0

羅姆進(jìn)軍650V氮化鎵，發(fā)布EcoGaN Power Stage IC！集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器

氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴(kuò)展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵羅姆 3.4k 0

超8億元！氮化鎵行業(yè)新增了4個(gè)項(xiàng)目

近日，氮化鎵行業(yè)新增了4個(gè)項(xiàng)目，涉及單晶襯底、器件等環(huán)節(jié)。

2023-07-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2k 0