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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

氮化鎵芯片爆發(fā)式出貨,國(guó)內(nèi)外廠商2023新品不斷,向汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用邁進(jìn)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)2018年開(kāi)始氮化鎵被引入快充充電器,為充電器工廠提供了巨大的發(fā)展空間,大批的傳統(tǒng)充電器廠商紛紛轉(zhuǎn)戰(zhàn)氮化鎵市場(chǎng)。隨著蘋(píng)果推出...

2023-07-21 標(biāo)簽:氮化鎵 4.5k 0

第三代半導(dǎo)體后起之秀:氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)

第三代半導(dǎo)體后起之秀:氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)

比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中,將更有優(yōu)勢(shì),比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。

2023-07-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC氮化鎵 1.4k 0

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

在此方向上,青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體(GaNPower)」(以下簡(jiǎn)稱(chēng)「量芯微」)在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),...

2023-07-19 標(biāo)簽:逆變器功率器件氮化鎵 3.5k 0

三星電子進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng) 氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場(chǎng)?

根據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo),三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 (GaN)市場(chǎng),目的是為了滿(mǎn)足汽車(chē)領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。

2023-07-19 標(biāo)簽:三星電子功率器件氮化鎵 1.8k 0

三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng),各廠商加速入局GAN市場(chǎng)氮化鎵行業(yè)快報(bào)

三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng),各廠商加速入局GAN市場(chǎng)氮化鎵行業(yè)快報(bào)

報(bào)道強(qiáng)調(diào),隨著全球消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)和需求成長(zhǎng),功率半導(dǎo)體的價(jià)格一直在上漲。因此,市場(chǎng)希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體...

2023-07-13 標(biāo)簽:氮化鎵GaN半導(dǎo)體代工 1.4k 0

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域?

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域?

中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制,短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶?zhuān)苿?dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲,國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 3k 0

“融合時(shí)代”即將來(lái)臨?手機(jī)內(nèi)置氮化鎵有哪些優(yōu)勢(shì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))氮化鎵作為第三代功率半導(dǎo)體,因其寬帶隙和高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),在電源、射頻領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,近年來(lái)也逐漸開(kāi)始進(jìn)入消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng),成為...

2023-07-12 標(biāo)簽:氮化鎵 2.8k 0

三星將于2025年啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工

三星啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績(jī)壓力很大,市場(chǎng)疲軟、存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤(rùn)暴跌,根據(jù)三星電子公布的2023...

2023-07-11 標(biāo)簽:三星電子氮化鎵GaN 1.3k 0

中美半導(dǎo)體攻防戰(zhàn)恐將陷入兩難境地

本周,半導(dǎo)體行業(yè)最引人關(guān)注的新聞非中國(guó)限制鎵和鍺及其某些化合物出口莫屬了。

2023-07-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EDA工具DRAM芯片 1.6k 0

氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅,越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中

2023-07-08 標(biāo)簽:電源管理德州儀器氮化鎵 1k 0

投資5000萬(wàn)元!瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)

本次投資是瑞能半導(dǎo)從長(zhǎng)遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定,中電化合物在未來(lái)實(shí)際經(jīng)營(yíng)中可能面臨宏觀經(jīng)濟(jì)、行業(yè)政策、市場(chǎng)變化、經(jīng)營(yíng)管理等因素的不確定性風(fēng)險(xiǎn)。瑞能半...

2023-07-06 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1.2k 0

中國(guó)管制鎵、鍺,韓國(guó)召開(kāi)緊急會(huì)議

報(bào)道援引韓工業(yè)部官員消息稱(chēng),韓國(guó)企業(yè)目前仍有可維持約40天左右生產(chǎn)所需的鎵庫(kù)存,而且他們能夠從美國(guó)和加拿大等中國(guó)以外的國(guó)家進(jìn)口鍺產(chǎn)品,不過(guò)當(dāng)局仍希望通過(guò)...

2023-07-06 標(biāo)簽:傳感器太陽(yáng)能電池氮化鎵 1.3k 0

鎵、鍺作為半導(dǎo)體材料有什么用途?

眾所周知,鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。

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美國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造商:中國(guó)子公司將立即申請(qǐng)鎵、鍺出口許可

7月3日,中國(guó)商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布公告,表示對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制,其中包含金屬鎵、氮化鎵(多晶、單晶、晶片、外延片等多種形態(tài))、鍺外延生長(zhǎng)襯底等...

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外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制

外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制 突發(fā),中國(guó)商務(wù)部正式宣布將在8月1日起,對(duì)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對(duì)此我國(guó)外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制是中方...

2023-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵光刻機(jī) 2.7k 0

商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告,對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告,對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵,以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...

2023-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 2.5k 0

NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)

該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。

2023-07-04 標(biāo)簽:氮化鎵GaN通用汽車(chē) 717 0

半導(dǎo)體材料都有哪些?半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類(lèi)狀況

半導(dǎo)體材料都有哪些?半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類(lèi)狀況

集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等關(guān)鍵步驟,其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料,按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。

2023-07-03 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.8萬(wàn) 0

CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達(dá)成全球分銷(xiāo)協(xié)議

為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公...

2023-06-30 標(biāo)簽:氮化鎵CGDHEMT 1.1k 0

金沙江第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片應(yīng)用項(xiàng)目簽約鶴壁

金沙江第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片應(yīng)用項(xiàng)目簽約鶴壁

 徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)金沙江半導(dǎo)體)據(jù)官方消息,公司在2021年被設(shè)立,項(xiàng)目發(fā)起人氮化鎵(的)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,氮化鎵功率器件及其新應(yīng)用為主力...

2023-06-30 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵IDM 2.8k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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