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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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來(lái)源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴(lài)于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高...

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電子工程師解答電路設(shè)計(jì)、元器件選型等問(wèn)題

近幾年,隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及,人們對(duì)于快速充電的需求越來(lái)越高。在這樣的趨勢(shì)下,愛(ài)美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案,其高效、安全、快速...

2023-04-19 標(biāo)簽:電源氮化鎵 507 0

氮化鎵(GaN)帶來(lái)電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴(lài)于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。

2023-04-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電源管理德州儀器 1.6k 0

合封氮化鎵芯片是什么

合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件,它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比,合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù),將多個(gè)半導(dǎo)體...

2023-04-11 標(biāo)簽:芯片氮化鎵合封 2.7k 0

愛(ài)美雅推出M版多協(xié)議兼容65W氮化鎵快充頭方案

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愛(ài)美雅)將隆重推出M版多協(xié)議兼容65W氮化鎵快充頭方案,目前已與國(guó)內(nèi)通信龍頭及國(guó)內(nèi)一線零售品牌建立了合作關(guān)系,未來(lái)這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入...

2023-04-11 標(biāo)簽:氮化鎵快充 1.6k 0

65W氮化鎵(1A2C)PD快充電源方案

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愛(ài)美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭,采用茂睿芯成熟穩(wěn)定的 IC 芯片及第三代半導(dǎo)體制造商-潤(rùn)新微 GaN-MOS,充電器具備 2...

2023-04-07 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體氮化鎵 3k 0

65W-1A2C接口氮化鎵(GaN)PD快充電源方案

1A2C-65W氮化鎵(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V寬輸入電壓,輸出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3....

2023-04-07 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 2.1k 0

?國(guó)內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)

由于技術(shù)門(mén)檻較高,只有國(guó)際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問(wèn)題, 2020年9月,颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...

2023-04-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器氮化鎵 3.2k 0

氮化鎵的“上車(chē)”空間,可能沒(méi)有想象中那么美好?

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電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索

碳化硅襯底產(chǎn)品通過(guò)外延和核心器件企業(yè),制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。

2023-03-29 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅高頻器件 1.2k 0

發(fā)貨量超75,000,000顆!納微半導(dǎo)體創(chuàng)氮化鎵功率器件出貨“芯”高峰

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下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者創(chuàng)下行業(yè)新里程碑,全面進(jìn)軍電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、家用電器、工業(yè)和移動(dòng)快充領(lǐng)域,該市場(chǎng)潛力達(dá)每年130億美元。 美國(guó)加利福尼亞...

2023-03-28 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.1k 0

納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片

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自氮化鎵進(jìn)軍快充市場(chǎng)以來(lái),不過(guò)短短幾年時(shí)間,其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性,使得采用氮化鎵功率芯片的充電器, 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充...

2023-03-28 標(biāo)簽:氮化鎵納微合封芯片 2k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片,引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度

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高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成, 實(shí)現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯,2023年3月20日訊 —— 唯一全面...

2023-03-28 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.4k 0

針對(duì)工業(yè)和400V系統(tǒng)汽車(chē)電源,PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件

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PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開(kāi)關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù),可提供高達(dá)100...

2023-03-31 標(biāo)簽:PI汽車(chē)電源氮化鎵 5.1k 0

日企市場(chǎng)份額占比超9成,國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多,特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱(chēng)為寬...

2023-03-27 標(biāo)簽:氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 4.7k 0

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長(zhǎng)光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。然而,散熱問(wèn)題是制約其...

2023-03-24 標(biāo)簽:氮化鎵晶格半導(dǎo)體器件 1.5k 0

氮化鎵應(yīng)用拓展加速,從快充跨步到數(shù)據(jù)中心

據(jù)統(tǒng)計(jì),來(lái)自消費(fèi)電子快充的需求是整個(gè)氮化鎵市場(chǎng)主要的驅(qū)動(dòng)力,占氮化鎵器件市場(chǎng)總規(guī)模的60%。作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵器件得益于固有優(yōu)勢(shì),未來(lái)會(huì)在功率領(lǐng)域...

2023-03-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 1.3k 0

氮化鎵應(yīng)用拓展加速,從快充跨步到數(shù)據(jù)中心

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在廠商的推廣和終端產(chǎn)品的面世后,氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì)大家也都有所耳聞了。更快的開(kāi)關(guān)速度省去了更多的無(wú)源器件,從而實(shí)現(xiàn)了更小的體積和更低的成本;更小的開(kāi)關(guān)損耗...

2023-03-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2.3k 0

GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破

氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。

2023-03-20 標(biāo)簽:IGBT氮化鎵GaN 1.8k 0

價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小,氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍”

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價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小 ,氮化鎵 或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵材料由于具備禁帶寬...

2023-03-20 標(biāo)簽:電源氮化鎵氮矽科技 5.3k 0

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BLDC PLC 碳化硅 二極管 OpenAI 元宇宙 安森美 ADI
無(wú)刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
直流電機(jī) PID MOSFET 傳感器 人工智能 物聯(lián)網(wǎng) NXP 賽靈思
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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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