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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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與傳統(tǒng)硅相比,這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處,包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運行能力。
2023-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 631 0
該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中,輸出功率值為全球最高,在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。
2023-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵金剛石功率半導(dǎo)體 1.2k 0
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導(dǎo)體,廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制,特別是在器...
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長,因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠,這在一...
根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示,2021年,全球GaN 功率器件營收規(guī)模約為 1.66 億美元,其中消費類電子市場為0.95億美元,通信與數(shù)據(jù)中...
來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中...
氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在...
2023-02-17 標(biāo)簽:氮化鎵 1.2萬 0
Hanebeck曾提到英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元進(jìn)行收購。整合是我們在過去幾年中觀察到的市場增長趨勢。特別是在寬帶隙半導(dǎo)體材料供應(yīng)方面,特別是碳化硅 (SiC)。
2023-02-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 802 0
VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路
因此,VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN(直接驅(qū)動耗盡型氮化鎵)半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用??焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...
氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點
氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料,相對硅而言,氮化鎵間隙更寬,導(dǎo)電性更好,將普通充電器替換為氮化鎵充電器,充電的效率更高。
2023-02-14 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 1.0萬 0
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。
硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料,有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點,能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料,晶圓可以做得很大,晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...
氮化鎵(GaN)作為現(xiàn)在重要的第三代半導(dǎo)體材料,具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強的抗輻照能力,能夠...
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵:碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢,適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域;硅基氮化...
USB PD3.1 能夠迅速商業(yè)化,離不開蘋果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋果發(fā)布的16 英寸MacBook Pro,成為全球首款支持US...
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...
2023-02-07 標(biāo)簽:芯片設(shè)計半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.5k 0
硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長...
2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基氮化鎵技術(shù) 5.4k 0
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施...
2023-02-06 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體制造碳化硅 7.8k 0
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