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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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2022-05-17 標(biāo)簽:EPC場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 4.2k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化鎵平臺(tái)NV6169功率芯片

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2022-05-11 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2.9k 0

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納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

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納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場(chǎng)

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第一代半導(dǎo)體材料:主要指Si、Ge元素為主的半導(dǎo)體,它們是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料。

2022-04-28 標(biāo)簽:MOSFET電源技術(shù)氮化鎵 6.3k 0

合粵固態(tài)電容概述、分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)

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2022年4月19日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技(Diodes)AP3306、APR34...

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倍思發(fā)布160W氮化鎵充電器

昨日晚間,倍思召開(kāi)了 2022 年春季新品發(fā)布會(huì),帶來(lái)20余款新品,隨即倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W,新品支持最新...

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EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低

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氮化鎵功率晶體管EPC2050專(zhuān)為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì),在極小的芯片級(jí)封裝中,實(shí)現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流,...

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氮化鎵的十大關(guān)鍵要點(diǎn)

GaN 可為射頻應(yīng)用帶來(lái)獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。GaN 獨(dú)特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢(shì)和堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì)。

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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里?

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...

2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 5.5k 0

氮化鎵集成方案如何提高功率密度

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GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括耗盡型(d-mode)、增強(qiáng)型(e-mode)、共源共柵型(cascode)等三種類(lèi)型,并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)要求。

2022-03-31 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵功率密度 2.4k 0

納微半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾

氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專(zhuān)有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管...

2022-03-29 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅功率芯片 2.3k 0

氮化鎵:相得益彰的高效解決方案覆蓋中功率應(yīng)用

近年來(lái),氮化鎵開(kāi)關(guān)非?;鸨琍I的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開(kāi)關(guān),在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開(kāi)關(guān)。閻金光說(shuō),氮化鎵開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻低,比...

2022-03-29 標(biāo)簽:電源氮化鎵高效率 2.8k 0

納微半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過(guò)四千萬(wàn)顆,氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者加速發(fā)展

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氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過(guò)四千萬(wàn)顆,終端市場(chǎng)故障率為零。

2022-03-28 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.3k 0

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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