創(chuàng)新技術(shù)推動快速部署新型 5G 產(chǎn)品

5G 產(chǎn)業(yè)潛力巨大，但行業(yè)如何才能克服成本、功耗與性能等相關(guān)挑戰(zhàn)，確保 5G 在第二次浪潮中大獲成功？

2021-05-19 標(biāo)簽：賽靈思氮化鎵GaN 1.1k 0

納微半導(dǎo)體與Live Oak II簽訂合并最終協(xié)議，以10.4億美元的企業(yè)價值上市

納微半導(dǎo)體已向戴爾、聯(lián)想、小米、OPPO、LG、亞馬遜、貝爾金等幾十家高端客戶交付了超過1800萬顆GaNFast?功率芯片，沒有收到任何故障報告。

2021-05-14 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵功率芯片 1.7k 0

【芯聞精選】穩(wěn)懋加碼投資建廠，預(yù)計三年后量產(chǎn)；大眾汽車宣布將自研高性能芯片

2021年90期 產(chǎn)業(yè)新聞 ? 長電科技完成50億元定增項目，進一步提升芯片成品制造能力 ? 5月8日消息 電科技近日發(fā)布公告稱，公司完成定增募資約50...

2021-05-09 標(biāo)簽：氮化鎵大眾穩(wěn)懋 2.4k 0

納微半導(dǎo)體閃亮登場慕尼黑上海電子展，氮化鎵最新工業(yè)級應(yīng)用產(chǎn)品首次公開亮相

DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導(dǎo)體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵...

2021-04-27 標(biāo)簽：氮化鎵慕尼黑上海電子展納微半導(dǎo)體 1.4k 0

Nexperia第二代650V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2kW或更高功率下運行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。

2021-04-27 標(biāo)簽：服務(wù)器功率器件氮化鎵 2k 0

第三代半導(dǎo)體襯底材料供應(yīng)商 中圖科技科創(chuàng)板IPO進入已問詢狀態(tài)

4月21日，上海證券交易所網(wǎng)站顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡稱“中圖科技”）科創(chuàng)板IPO進入已問詢狀態(tài)。 ? 中圖科技是一家面向藍寶石上氮化鎵...

2021-04-22 標(biāo)簽：氮化鎵miniled 7.1k 0

意法半導(dǎo)體王巧娣：集成驅(qū)動器的MasterGaN系列產(chǎn)品讓GaN產(chǎn)品開發(fā)更簡單

目前GaN產(chǎn)品主要應(yīng)用在消費類產(chǎn)品當(dāng)中，但在未來五年中，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將在激光雷達、5G通信、新能源汽車、特殊行業(yè)、人工智能、數(shù)據(jù)中心以...

2021-04-22 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體電力電子氮化鎵 8.4k 0

科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達加速發(fā)展

有源電子掃描陣列（AESA）系統(tǒng)愈來愈受到研發(fā)的青睞，該系統(tǒng)主要運用于大型機載平臺上，同時在陸地和海事細分市場也有采用。

2021-04-20 標(biāo)簽：氮化鎵科銳碳化硅 1.8k 0

全球領(lǐng)先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力，33W GaN快充迅速上量

外型小巧是該方案的一大特色，其內(nèi)部電路設(shè)計更是十分精簡，通過圖片可見，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實現(xiàn)了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實現(xiàn)了核心技術(shù)的...

2021-04-08 標(biāo)簽：氮化鎵GaN英諾賽科 1.2k 0

賽微電子擬投資10億元建6-8英寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)線

近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8...

2021-04-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN硅基氮化鎵 6.8k 0

臺鈴發(fā)布新型無線充電專利技術(shù)，InnoGaN正式進軍電動車領(lǐng)域

臺鈴在天津展上重磅首發(fā)“奔跑的機器人”——N9超智版智能電動車，提出了擁有16項發(fā)明專利加持的氮化鎵有線+無線充電黑科技，臺鈴再一次驚艷業(yè)界，以技術(shù)創(chuàng)新...

2021-04-01 標(biāo)簽：電動車氮化鎵無線充電 2.3k 0

紫米33W氮化鎵充電器mini疾速充電,媲美原裝充電器

本月初，紫米宣布推出33W氮化鎵充電器mini，原計劃3月8日上市開賣。

2021-03-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 3.6k 0

小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市，納微氮化鎵技術(shù)走向世界

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的體積和重量，實現(xiàn)高達三倍的功率或充電速度。

2021-03-15 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1.4k 0

Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達成深度合作

隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長，基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境，勢必推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。

2021-03-12 標(biāo)簽：汽車電子氮化鎵Nexperia 1.9k 0

氮化鎵功率晶體管價格降至1美元以下

GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。

2021-03-12 標(biāo)簽：充電器飛利浦氮化鎵 3.5k 0

東南大學(xué)在氮化鎵功率驅(qū)動芯片技術(shù)上的最新研究成果成功發(fā)表

GaN功率器件具有工作頻率高、導(dǎo)通電阻小、溫度特性好等優(yōu)點，已成為未來高功率密度電源系統(tǒng)的首選器件。在高功率密度電源系統(tǒng)應(yīng)用中，如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和...

2021-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵電源系統(tǒng)驅(qū)動芯片 4.1k 0

蘇州鎵敏光電GaN紫外傳感器介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應(yīng)截至波長365nm，對可見光無響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應(yīng)，且紫外靈...

2021-03-10 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 6.3k 0