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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工 將對“中國芯”打造提供強勁助力
4月10日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目正式開工。
氮化鎵接連被手機廠商們“翻牌” 2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達(dá)600多億元
4月8日，華為舉行P40系列國行版線上發(fā)布會。發(fā)布會上，除了發(fā)布了P40系列三款新機等，余承東帶來了GaN（氮化鎵）雙口超級快充充電器，最大充電功率為6...
小米和華為先后熱捧的產(chǎn)品，氮化鎵快充將迎來爆發(fā)之勢
2020年2月13日，小米召開了疫情以來首場重磅線上發(fā)布會，正式發(fā)布了小米10旗艦產(chǎn)品，同時也發(fā)布了一款明星配件產(chǎn)品：65W氮化鎵充電器。
第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵的應(yīng)用將越來越廣泛
從供應(yīng)鏈獲悉，華為舉行的2020年春季發(fā)布會上，發(fā)布了一款充電器新品（單品），功率65W。這款充電器屬于GaN（氮化鎵）類型，支持雙口（Type-C和A...
未來氮化鎵快充技術(shù)將會得到更加廣泛的應(yīng)用
2020年2月13日小米的線上發(fā)布會上，小65W氮化鎵充電器問世。同時，氮化鎵（GaN）快充在發(fā)布會上也被雷軍一舉捧紅，成為了當(dāng)下的一個熱門高頻詞匯。 ...
氮化鎵充電器前景非常明朗，大概率會取代傳統(tǒng)充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢，或者說氮化鎵充電器都有哪些優(yōu)勢？下面給給大家進(jìn)行解答。
ANKER GaN技術(shù)充電器的第一款產(chǎn)品正式在國內(nèi)上市，名叫ANKER PowerPort Atom PD 1，它支持USB PD快充，最大輸出達(dá)30W...
氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題
近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 ...
小米10系列發(fā)布會讓氮化鎵充電器一舉捧紅，成為新晉網(wǎng)紅配件。小米的入局，可以說是極大地提高了氮化鎵的關(guān)注度。
由于對設(shè)計、制造業(yè)者來說，資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗，因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展，如今，已演變?yōu)闃I(yè)界擴大合作，加快產(chǎn)業(yè)...
2020-04-07 標(biāo)簽：氮化鎵 2.6k 0
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當(dāng)紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表，具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性，在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動器在貿(mào)澤開售 具有超高共模瞬態(tài)抗擾性（CMTI）
MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品，屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 （CMTI），用于驅(qū)動各種逆...
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表，具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性，在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
三安光電提出的此項專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝，解決了現(xiàn)有方法中常規(guī)金屬材料熱穩(wěn)定性和散熱差、工藝復(fù)雜的缺陷。
2020-03-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)管氮化鎵三安光電 4.3k 0
康佳訂購AIXTRON MOCVD系統(tǒng)進(jìn)入Micro LED試生產(chǎn)
與現(xiàn)有的LCD和OLED技術(shù)相比，Micro LED為消費類移動產(chǎn)品以及高端電視顯示器的設(shè)計提供了新的機遇。
氮化鎵（GaN）被譽為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，具有帶隙寬、原子鍵強、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性...
貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
2020-03-16 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動器 1.7k 0
倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點啟示
19年12月份，購買了一款 明星產(chǎn)品：倍思的雙C＋A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價 268 元； 購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...
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