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應(yīng)用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術(shù)
直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動(dòng)者,可提高封裝密度和器件性能。要實(shí)現(xiàn)3DIC對(duì)下一代器件的優(yōu)勢(shì),TSV縮放至關(guān)重要。
近年來(lái),太陽(yáng)能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統(tǒng)中,90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池,具有成本低、面積大、效率較高的優(yōu)點(diǎn)。...
本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果,該過(guò)程包括使用溶解的臭氧來(lái)去除晶片表面的有機(jī)物,此外,該過(guò)程是在原位進(jìn)行的,沒(méi)有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_...
半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析
引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率...
利用循環(huán)水系統(tǒng)中的涼水塔作為加藥箱,往系統(tǒng)里面加藥,進(jìn)行自然循環(huán)。
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