深度剖析LED燈具的光效、熱阻與光衰

LED光效LED光效是衡量光源性能的關(guān)鍵指標(biāo)，其定義為光通量（lm）與光源消耗功率（W）的比值，單位為lm/W。LED領(lǐng)域的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，具備先進(jìn)的測(cè)試...

2025-11-28 標(biāo)簽：光源熱阻LED燈具 2.7k 0

芯片熱特性的熱阻描述

熱阻(Thermal Resistance)表示熱量在傳遞過程中所受到的阻力，為傳熱路徑上的溫差與熱量的比值。根據(jù)傳熱方式的不同，熱阻又分為導(dǎo)熱熱阻、對(duì)...

2025-11-27 標(biāo)簽：芯片熱阻熱特性 2.1k 0

SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)深度分析報(bào)告

1. 引言：功率半導(dǎo)體熱管理的重要性與SiC技術(shù)的崛起 1.1 功率器件熱管理在電力電子中的核心地位 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率半導(dǎo)體器件的熱管理已超越...

2025-09-15 標(biāo)簽：MOSFET熱阻功率半導(dǎo)體 1.9k 0

導(dǎo)熱硅脂怎么選？七大核心參數(shù)硬核解析

1導(dǎo)熱系數(shù)在導(dǎo)熱硅脂的諸多參數(shù)中，導(dǎo)熱系數(shù)無疑是最為關(guān)鍵的，堪稱散熱性能的“核心引擎”，其單位為W/(m?K)。這個(gè)參數(shù)直觀地反映了硅脂傳導(dǎo)熱量的能力，...

2025-09-04 標(biāo)簽：散熱器熱阻導(dǎo)熱硅脂 5.2k 0

深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——熱阻

什么是熱阻即熱量？熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W?？梢杂靡粋€(gè)類...

2025-07-17 標(biāo)簽：led熱阻 609 0

技術(shù)資訊 I 導(dǎo)熱材料對(duì)熱阻的影響

在電子器件（如導(dǎo)熱材料或?qū)峁柚┥贤扛矊?dǎo)熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產(chǎn)生的溫升。衡量每功耗所產(chǎn)生溫升的指標(biāo)稱為...

2025-08-22 標(biāo)簽：電子器件熱阻導(dǎo)熱材料 947 0

DDR4堆疊模組的熱仿真案例分析

在電子設(shè)備的散熱設(shè)計(jì)中，熱阻（Thermal Resistance）是一個(gè)至關(guān)重要的物理量，它定量描述了材料或系統(tǒng)對(duì)熱量傳遞的阻礙能力。從本質(zhì)上看，熱阻...

2025-08-18 標(biāo)簽：封裝熱阻散熱 3.5k 0

導(dǎo)熱材料的“界面”疑難雜癥，你了解多少？

1界面這些“小麻煩”可別小瞧熱界面材料雖然在電子設(shè)備散熱中起著關(guān)鍵作用，但在實(shí)際應(yīng)用過程中，卻常常面臨各種界面問題的困擾。這些問題看似不起眼，卻會(huì)對(duì)熱界...

2025-07-03 標(biāo)簽：材料熱阻導(dǎo)熱材料 1.6k 0

LED光效、熱阻與光衰的深度剖析

LED光效LED光效是衡量光源性能的關(guān)鍵指標(biāo)，其定義為光通量（lm）與光源消耗功率（W）的比值，單位為lm/W。瞬態(tài)光效是LED光源啟動(dòng)瞬間的發(fā)光效率，...

2025-03-20 標(biāo)簽：led熱阻光效 2.2k 0

主驅(qū)逆變器應(yīng)用中不同 Zth 模型對(duì)分立 IGBT Tvj 計(jì)算的影響

*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中，關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)溫計(jì)算的研究和論文相對(duì)較少。本文基于最新的...

2025-02-08 標(biāo)簽：逆變器IGBT熱阻 1.9k 0

濕度大揭秘！如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻？

近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)...

2025-02-07 標(biāo)簽：熱阻半導(dǎo)體封裝焊料 1.9k 0

電源設(shè)計(jì)之對(duì)熱阻的認(rèn)識(shí)

電源熱設(shè)計(jì)之--對(duì)熱阻的認(rèn)識(shí) 之前做了這么多電源還有高頻機(jī)，我一直沒有想過如何設(shè)計(jì)散熱，或者說怎么樣的散熱設(shè)計(jì)才不會(huì)讓芯片過溫而損壞。對(duì)于發(fā)熱元件，散熱...

2024-12-18 標(biāo)簽：熱阻散熱 1.2k 0

功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

2024-10-29 標(biāo)簽：熱阻功率器件SiC 1.6k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

2024-10-22 標(biāo)簽：熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 2.5k 0

MOSFET器件參數(shù)：TJ、TA、TC到底講啥？

我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法：TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性在電力電子應(yīng)

2024-08-30 標(biāo)簽：MOSFET熱阻器件 7.5k 0

北大王瑋教授團(tuán)隊(duì)在芯片熱管理領(lǐng)域取得進(jìn)展

來源：北京大學(xué)集成電路學(xué)院 隨著GaN為代表的新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料的廣泛應(yīng)用，功率器件的性能大幅度提高。然而受限于器件熱管理性能，目前GaN功率器件僅...

2024-07-03 標(biāo)簽：芯片熱阻熱管理 2k 0

一文掌握集成電路封裝熱仿真要點(diǎn)

本文要點(diǎn)要想準(zhǔn)確預(yù)測(cè)集成電路封裝的結(jié)溫和熱阻，進(jìn)而優(yōu)化散熱性能，仿真的作用舉足輕重。準(zhǔn)確的材料屬性、全面的邊界條件設(shè)置、真實(shí)的氣流建模、時(shí)域分析以及實(shí)證...

2024-05-18 標(biāo)簽：集成電路封裝熱阻 3.1k 0