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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

在切割脆性 SiC 晶片時，必須減少或完全消除機械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機械變化降至最低。同時還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度，以限...

2024-09-11 標(biāo)簽：激光器 SiC 碳化硅 2.2k 0

什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 6.5k 0

SiC二極管在大功率電源上的應(yīng)用

SiC（碳化硅）二極管在大功率電源上的應(yīng)用，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性，在多個大功...

2024-09-10 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 1.7k 0

SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)...

2024-09-10 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 4.2k 0

氮化鎵和碳化硅哪個有優(yōu)勢

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨特的優(yōu)勢，應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較：氮化鎵（GaN）...

2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 5.3k 0

碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

引言碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛...

2024-09-02 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.8k 0

安森美OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計指南

“OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計指南”又上新了，第一篇文章介紹了系統(tǒng)用途、系統(tǒng)實施方法、系統(tǒng)說明、市場趨勢和標(biāo)準等，本文將繼續(xù)介紹解決方案概述及拓撲。

2024-08-20 標(biāo)簽：二極管安森美碳化硅 2.9k 0

碳化硅柵極驅(qū)動器的選擇標(biāo)準

利用集成負偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動在設(shè)計電動汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動器和泵等高功率應(yīng)用時，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因為與 I...

2024-08-20 標(biāo)簽：MOSFET 安森美柵極驅(qū)動器 1.4k 0

SiC器件在電源中的應(yīng)用

SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細探討SiC器件...

2024-08-19 標(biāo)簽：電源 SiC 碳化硅 2.7k 0

直流快速電動汽車充電器的設(shè)計技巧與解決方案

便捷高效的充電對于所有電池供電的電動汽車（BEV）的成功至關(guān)重要，可用充電的地方越多，充電速度越快，消費者就越有可能購買純電動汽車而不是化石燃料汽車。本...

2024-08-16 標(biāo)簽：電動汽車充電器碳化硅 1.4k 0

碳化硅MOSFET的開關(guān)尖峰問題與TVS保護方案

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在開關(guān)過程中也可能面臨電壓尖...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOSFET TVS 碳化硅 6k 0

終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，集成功率模塊(IPM，IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能，廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如電機驅(qū)動...

2024-08-09 標(biāo)簽：功率模塊 IPM 碳化硅 6.7k 0

金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點怎么比較

金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料，它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶體硅金剛石電導(dǎo)率 8.1k 0

碳化硅和晶體硅誰的熔點高

1.碳化硅和晶體硅的熔點比較，碳化硅的熔點更高。具體來說，碳化硅的熔點大于2700℃，并且其沸點高于3500℃。而晶體硅的熔點則為1410℃（也有資料...

2024-08-08 標(biāo)簽：金屬晶體硅碳化硅 6k 0

碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析：材料特性：碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 5.1k 0

碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

　　碳化硅（SiC）是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料，近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和...

2024-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.6k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.2k 0

碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測試

了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵，這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運行，并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個部...

2024-08-06 標(biāo)簽：測試 MOSFET 碳化硅 1.2k 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 5.4k 0

使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.5k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓撲。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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碳化硅

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