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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。

2024-01-09 標(biāo)簽：射頻 SiC 碳化硅 1.6k 0

碳化硅的特性、應(yīng)用及動態(tài)測試

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.4k 0

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 4.5k 0

SiC外延層的缺陷控制研究

探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。

2024-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 4.7k 0

天津大學(xué)團隊開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元

石墨烯作為首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

2024-01-08 標(biāo)簽：電子元件石墨烯碳化硅 1.2k 0

什么是800V高壓架構(gòu)？800V高壓架構(gòu)的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么？它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”？400V和800V的電動車在用車體驗上...

2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件 SiC 氮化鎵 865 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢

隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€領(lǐng)域展現(xiàn)出...

2024-01-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1.6k 0

這幾張關(guān)于碳化硅的圖值得研究

在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。

2024-01-04 標(biāo)簽：新能源汽車逆變器斷路器 639 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET 光伏晶體管 5.3k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。

2024-01-03 標(biāo)簽：逆變器電機驅(qū)動功率器件 2.2k 0

?碳化硅助力實現(xiàn)PFC技術(shù)的變革

碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長，也...

2024-01-02 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 PFC 2.6k 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1.8k 0

如何實現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設(shè)計呢？

第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標(biāo)簽：電動汽車逆變器散熱器 3.5k 0

小米汽車發(fā)布會：自研小米800V碳化硅高壓平臺

小米自研小米800V碳化硅高壓平臺：871V

2023-12-28 標(biāo)簽：碳化硅小米汽車 800V平臺 1.4k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨特的物理特性，如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.2k 0

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅（ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大，難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 5k 0

探討蔚來全域900V高壓架構(gòu)的技術(shù)儲備

新一代900V高性能電驅(qū)平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺，雙電機冗余設(shè)計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機在體積更小的情況下...

2023-12-26 標(biāo)簽：永磁同步電機 DC-DC 碳化硅 2.1k 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢

　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.2k 0

探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢

隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對高效能電子器件的需求不斷增長，傳統(tǒng)硅材料在面對一些特殊應(yīng)用場景時已經(jīng)顯示出其局限性。

2023-12-25 標(biāo)簽：傳感器無線通信漏電流 2.7k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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