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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 969 0

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 852 0

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 920 0

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 939 0

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 918 0

SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-25 標(biāo)簽：二極管肖特基肖特基二極管 887 0

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SBD SiC 1k 0

碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

碳化硅（SiC）在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性，成為空間觀測(cè)、深空探測(cè)等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用...

2025-02-22 標(biāo)簽：光學(xué)SiC 碳化硅 2.5k 0

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

本文作者：Brandon Becker，安森美（onsemi）電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營銷經(jīng)理電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC...

2025-02-22 標(biāo)簽：JFET 晶體管碳化硅 1.3k 0

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfs...

2025-02-19 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 碳化硅 2k 0

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...

2025-02-12 標(biāo)簽：封裝技術(shù)三菱電機(jī)SiC 1.5k 0

碳化硅MOSFET在家庭儲(chǔ)能（雙向逆變，中大充）的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對(duì)比，并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M0...

2025-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 976 0

碳化硅SiC MOSFET：八大技術(shù)難題全解析！

碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研...

2025-02-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 半導(dǎo)體器件 3.3k 0

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...

2025-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜工藝 2.2k 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiC）是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅可再生能源 3.1k 0

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至...

2025-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.5k 0

碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.5k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

2025-02-03 標(biāo)簽：IGBT 功率器件碳化硅 1.6k 0

安森美如何引領(lǐng)電源技術(shù)的綠色變革

在全球氣候變化日益嚴(yán)峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會(huì)共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺(tái)政策，推動(dòng)能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展，旨在實(shí)現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...

2025-01-15 標(biāo)簽：安森美電源技術(shù)SiC 1.2k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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羅姆

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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