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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起

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近期,無論是美國(guó)等西方國(guó)家的技術(shù)輸出限制,還是其它外來壓力,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均在政府的扶持下積極應(yīng)對(duì),逐步在非尖端技術(shù)半導(dǎo)體業(yè)坐穩(wěn)江山。據(jù)日本媒體專家分析...

2023-11-28 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0

增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量

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碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問題,英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMO...

2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.9k 0

奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

前段時(shí)間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。

2023-11-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2.4k 0

俄羅斯和印度再增2個(gè)SiC項(xiàng)目 合計(jì)超過6.3億元

最近,俄羅斯和印度新增了2個(gè)碳化硅項(xiàng)目,其中俄羅斯的碳化硅模塊項(xiàng)目是由“中國(guó)最大的制造商之一”投資建設(shè)的

2023-11-25 標(biāo)簽:晶圓SiC功率模塊 2.1k 0

羅姆國(guó)富工廠將于明年生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓 目標(biāo)增長(zhǎng)35倍

11月上旬,羅姆株式會(huì)社社長(zhǎng)松本功在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布,他們將在日本宮崎縣的國(guó)富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓,預(yù)計(jì)將于2024年開始。

2023-11-25 標(biāo)簽:晶圓SiCGaN 2k 0

全球SiC晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)2030年達(dá)21億美元!市場(chǎng)+技術(shù)趨勢(shì)深度分析

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高溫、高頻和高功率應(yīng)用需求:碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現(xiàn)出色,因此受到這些應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛關(guān)注,如電力電子、電動(dòng)汽車、無線通信和軍事領(lǐng)域。需求...

2023-11-24 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 2k 0

2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到...

2023-11-24 標(biāo)簽:晶圓代工SiC碳化硅 3.9k 0

確定!東芝將于12月20日退市

東芝社長(zhǎng)兼CEO Taro Shimada主持了11月22日的的臨時(shí)股東大會(huì),他表示:“在穩(wěn)定的股東結(jié)構(gòu)下,我們將以技術(shù)為重點(diǎn)對(duì)公司進(jìn)行改革?!?/p>

2023-11-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車東芝功率半導(dǎo)體 2k 0

碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

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直流充電樁是新能源汽車直流充電樁的簡(jiǎn)稱,一般也被叫做“快充”。直流充電樁一般與交流電網(wǎng)連接,可作為非車載電動(dòng)汽車的動(dòng)力補(bǔ)充,是一種直流工作電源的電源控制...

2023-11-23 標(biāo)簽:MOS充電樁碳化硅 1k 0

晶盛機(jī)電:8英寸碳化硅襯底片處于下游企業(yè)驗(yàn)證階段

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2023-11-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅晶盛機(jī)電 1.4k 0

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告

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2023-12-05 標(biāo)簽:二極管功率器件碳化硅 1.7k 0

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效

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2023-12-04 標(biāo)簽:電路MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 1.4k 0

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究

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2023-11-30 標(biāo)簽:IC功率器件SiC 2.4k 0

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究

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2023-11-29 標(biāo)簽:二極管UPS開關(guān)頻率 1.5k 0

羅姆(ROHM)第4代:技術(shù)回顧

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2023-11-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體Rohm碳化硅 1.7k 0

碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)

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如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能?結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法!

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2023-11-23 標(biāo)簽:表面貼裝碳化硅RDS 1.3k 0

如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

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通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計(jì)算的前沿

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2023-11-23 標(biāo)簽:封裝人工智能碳化硅 1.9k 0

SiC晶圓劃片工藝:速度提升100倍,芯片增加13%

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近日,一家日本廠商發(fā)布了一種全新的SiC晶圓劃片工藝,與傳統(tǒng)工藝相比,這項(xiàng)技術(shù)可將劃片速度提升100倍,而且可以幫助SiC廠商增加13%的芯片數(shù)量。

2023-11-21 標(biāo)簽:晶圓功率器件SiC 4.5k 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
  • 羅姆
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  • CC2541
    CC2541
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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