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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)前景良好,將催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)
在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會(huì)專(zhuān)家紛紛表示,近年來(lái)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快,基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)...
三安集成:碳化硅功率器件量產(chǎn)制造平臺(tái),助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
三安集成副總經(jīng)理?xiàng)罱?、金龍新能源總?jīng)理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。
2020-09-29 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率器件碳化硅 1.4k 0
英飛凌 CoolSiC? 技術(shù)助力光寶科技推出80 PLUS 鈦金認(rèn)證的 SMPS 交換式電源供應(yīng)器
為符合最高效率 80 PLUS 鈦金認(rèn)證的要求,在 50% 負(fù)載條件下,115 V 輸入電壓需達(dá)到94% 效率,另在 230 V 電壓下則需達(dá)到 96% 效率。
2020-09-28 標(biāo)簽:MOSFET電源供應(yīng)器碳化硅 1.4k 0
第三代半導(dǎo)體碳化硅 爆發(fā)式增長(zhǎng)的明日之星
看點(diǎn):第三代半導(dǎo)體碳化硅,爆發(fā)式增長(zhǎng)的明日之星。 功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率(理想轉(zhuǎn)化率100%),基于 SIC 材料的功率器件...
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
UnitedSiC與益登科技簽署分銷(xiāo)協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)
UnitedSiC宣布與益登科技(TWSE: 3048)簽署代理協(xié)議,將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng),為包括電動(dòng)汽車(chē)、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...
納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)即將召開(kāi)
來(lái)自中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)通知,10月28-30日,一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)即將隆重召開(kāi)! 不管您是來(lái)自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...
第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析
第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時(shí)代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。 ...
汽車(chē)、5G電源和光伏是SiC發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力,模塊化是其主要發(fā)展趨勢(shì)
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),到2022年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10億美元。電源的功率因數(shù)校正(PFC)、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高...
2020-09-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiC碳化硅 9.1k 0
碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
今天政策層面有一個(gè)大消息,特大消息,那就是我國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫(xiě)入十四五規(guī)劃,利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...
科銳在美國(guó)紐約建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠
美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進(jìn)從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...
“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí),全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“
碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì),是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 2k 0
Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動(dòng)器和功率模塊工具包,助力開(kāi)發(fā)人員設(shè)計(jì)投產(chǎn)
Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開(kāi)發(fā)人員從設(shè)計(jì)到投產(chǎn)的步伐。
科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能
科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。
2020-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.4k 0
羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件
通過(guò)使用TO-247-4L封裝,驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離,從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。
2020-08-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器碳化硅羅姆 1.5k 1
從產(chǎn)品及財(cái)務(wù)角度分析天科合達(dá)
據(jù)招股書(shū)顯示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一,與硅材料相比,以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓...
2020-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料晶片碳化硅 3.3k 0
在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門(mén)技術(shù),我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外,在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入,有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共...
博世入局碳化硅 博世致力于研發(fā)符合車(chē)規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品
博世集團(tuán)是世界先進(jìn)的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問(wèn)世開(kāi)始,博世始終處于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的前沿位置。如今,博世已成為全球的MEMS傳感器的頭...
5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略
可是最近的一篇報(bào)道,引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗,節(jié)約電費(fèi),中國(guó)聯(lián)通在洛陽(yáng)某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...
除了定時(shí)開(kāi)關(guān)機(jī),5G基站還可以這樣節(jié)省電費(fèi)
最近,一篇關(guān)于中國(guó)聯(lián)通在每天21:00到次日9:00關(guān)閉5G基站,以減少能耗,節(jié)約電費(fèi)的新聞,引起了大量的關(guān)注。很多人是在看到這樣的報(bào)道后才知道,原來(lái)5...
2020-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì)高頻 1.4萬(wàn) 1
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