美光和聯(lián)電之間因DRAM的營(yíng)業(yè)秘密糾紛，互相發(fā)起多起訴訟

2017年12月，美光科技在美國(guó)加州提起民事訴訟，控告聯(lián)電及福建晉華侵害DRAM的營(yíng)業(yè)秘密。對(duì)此，聯(lián)電今日作出了反擊，分別向福州市中級(jí)人民法院遞狀，對(duì)美...

2018-01-13 標(biāo)簽：聯(lián)電美光 2.1k 0

聯(lián)電新推40nmSST嵌入式快閃記憶存儲(chǔ)器制程

聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這...

2018-01-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器聯(lián)電40nm工藝 3k 0

聯(lián)電擬6.3億美元增資廈門(mén)聯(lián)芯 引進(jìn)28納米制程預(yù)計(jì)明年Q1擴(kuò)增至1.6萬(wàn)片

聯(lián)電表示將會(huì)斥資6.3億美元增資廈門(mén)聯(lián)芯擴(kuò)產(chǎn)臺(tái)灣與大陸兩岸晶圓廠產(chǎn)能，在引進(jìn)28納米制程后預(yù)計(jì)2018年一年擴(kuò)增至2.5萬(wàn)片/月。

2017-12-15 標(biāo)簽：聯(lián)電28nm制程 2k 0

美光起訴臺(tái)灣聯(lián)電,離職員工攜帶機(jī)密跳槽聯(lián)電

美國(guó)記憶體大廠美光 （Micron）在臺(tái)灣控告晶圓代工大廠聯(lián)電 （UMC），表示聯(lián)電透過(guò)美光離職員工竊取 DRAM 相關(guān)機(jī)密商業(yè)資料而遭檢方起訴之后， ...

2017-12-07 標(biāo)簽：dram聯(lián)電美光 3k 0

三星從各大公司挖角人才，打算快速縮小和聯(lián)電、臺(tái)積電的差距

三星近來(lái)從各大公司挖角人才，打算快速縮小和聯(lián)電、臺(tái)積電的差距。據(jù)韓媒 BusinessKorea 22 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界人士透露，前格芯（GlobalFou...

2017-11-24 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺(tái)積電 803 0

三星晶圓代工要超越臺(tái)積電？

日前在南韓首爾舉辦的三星晶圓代工論壇上，三星相關(guān)負(fù)責(zé)人表示：“今年的目標(biāo)是到年底，將晶圓代工的市占率從第四名提升到第二名，超越聯(lián)電和格芯。未來(lái)則打算超越...

2017-07-13 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電聯(lián)電 2.6k 0

中國(guó)半導(dǎo)體如何才能崛起？

中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)一定要加速融入全球產(chǎn)業(yè)鏈才能實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的跨越式發(fā)展。未來(lái)中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體高科技行業(yè)更需“智取”，除了貢獻(xiàn)己力，協(xié)同伙伴齊力發(fā)展，運(yùn)用行業(yè)平臺(tái)...

2017-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電聯(lián)電 4.2k 0

聯(lián)電挑戰(zhàn)臺(tái)積電 14nm芯片量產(chǎn)吸引客戶訂單

臺(tái)灣兩大代工廠臺(tái)積電和聯(lián)電多年相爭(zhēng)，據(jù)IC Insights在2016年8月份公布的數(shù)據(jù)顯示其占全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)份額的58%，高居榜首，而聯(lián)電已滑落至...

2017-02-24 標(biāo)簽：中芯國(guó)際臺(tái)積電聯(lián)電 1.8k 0

聯(lián)電14nm芯片量產(chǎn),廈門(mén)聯(lián)芯推進(jìn)到28nm

半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶...

2017-02-24 標(biāo)簽：聯(lián)電14nm28nm 3.1k 0

傳大陸3倍年薪挖角臺(tái)灣聯(lián)電聯(lián)詠工程師超200人

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，農(nóng)歷年后，臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)再出現(xiàn)明顯離職潮，業(yè)界傳出晶圓廠以聯(lián)電為首，遭大陸華力微電子大舉挖角28nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，加上熱門(mén)的制程主管或工程師，...

2017-02-08 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科聯(lián)電聯(lián)詠 1.5k 0

傳上海華力微電子挖角聯(lián)電28納米研發(fā)團(tuán)隊(duì)

大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過(guò)并購(gòu)大步邁進(jìn)的同時(shí)，高端科技人才的引進(jìn)動(dòng)作更是不斷。繼臺(tái)灣半導(dǎo)體高層人士高啟全、蔣尚義、孫世偉等陸續(xù)加入大陸企業(yè)之后，近期傳出上海華力...

2017-02-07 標(biāo)簽：聯(lián)電28納米華力微電子 4.4k 0

前聯(lián)電前CEO孫世偉，擔(dān)任紫光晶圓全球執(zhí)行副總裁一職

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，紫光集團(tuán)傳成功延攬晶圓代工廠聯(lián)電前CEO孫世偉，擔(dān)任全球執(zhí)行副總裁一職，紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁高啟全證實(shí)這項(xiàng)傳言。 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，紫光集團(tuán)...

2017-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體聯(lián)電晶圓 1.9k 0

紫光高管證實(shí)前聯(lián)電CEO孫世偉任副總 傳負(fù)責(zé)成都12寸晶圓廠

紫光集團(tuán)傳成功延攬晶圓代工廠聯(lián)電前CEO孫世偉，擔(dān)任全球執(zhí)行副總裁一職，紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁高啟全證實(shí)這項(xiàng)傳言。

2017-01-10 標(biāo)簽：聯(lián)電晶圓廠紫光 2.5k 0

成功研制臺(tái)灣第一枚集成電路的聯(lián)電獨(dú)立董事張俊彥宣告請(qǐng)辭

2017-01-03 標(biāo)簽：集成電路聯(lián)電 1.6k 0

蔣尚義轉(zhuǎn)投中芯國(guó)際出任董事 張忠謀勸導(dǎo)難挽回

12月21日，中芯國(guó)際正式公告，聘請(qǐng)臺(tái)積電前共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義擔(dān)任獨(dú)立董事，消息一出，震撼臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。業(yè)界傳出，蔣尚義出任中芯董事前，曾告知臺(tái)積電董事...

2017-01-02 標(biāo)簽：中芯國(guó)際臺(tái)積電聯(lián)電 1.5k 0

近8年首次！硅晶圓明年Q1漲價(jià)10％

暌違8年，半導(dǎo)體矽晶圓（silicon wafer）終于再度“漲”聲響起！矽晶圓廠上周與臺(tái)灣半導(dǎo)體廠敲定明年第一季12寸矽晶圓合約價(jià)，是近8年首度漲價(jià)，...

2016-12-26 標(biāo)簽：臺(tái)積電聯(lián)電硅晶圓 854 0

中芯國(guó)際拼先進(jìn)半導(dǎo)體制程 有望超越聯(lián)電成全球第三

在 2016 年之內(nèi)，先后宣布 14 納米制程將在 2018 年投產(chǎn)，以及 2016 年投資金額提升至 25 億美元的消息。而這 2 項(xiàng)指標(biāo)都直追全球第...

2016-12-23 標(biāo)簽：中芯國(guó)際聯(lián)電半導(dǎo)體制程 1.4k 0

驚傳GF大中華區(qū)總舵手閃辭 恐將牽動(dòng)大陸晶圓代工市場(chǎng)布局

全球晶圓代工大廠GlobalFoundries驚傳高層人士離職消息，GlobalFoundries大中華區(qū)業(yè)務(wù)副總裁陳若中閃電提出辭呈，預(yù)計(jì)任職到12月...

2016-12-20 標(biāo)簽：聯(lián)電晶圓代工格羅方德 1.2k 0

大陸半導(dǎo)體快速崛起，上半年新產(chǎn)值已超過(guò)臺(tái)灣

聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文表示，聯(lián)電以參股方式在廈門(mén)投資興建12寸晶圓廠，主要看好中國(guó)這幾年半導(dǎo)體元件需求成長(zhǎng)非常快速，是全球成長(zhǎng)最快速地區(qū)，而且當(dāng)?shù)貎A向未來(lái)要求...

2016-11-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電聯(lián)電半導(dǎo)體芯片 952 1