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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 997 0
SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
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2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 857 0
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 988 0
SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 912 0
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 1k 0
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 903 0
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 986 0
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 864 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 934 0
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 950 0
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P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 935 0
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P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無...
SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無鹵且符合RoHS...
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
在電力電子和開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,快恢復(fù)二極管和肖特基二極管是兩類高頻應(yīng)用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關(guān)場景,但其工作原理、性能特點(diǎn)及適用場景存在顯著...
2025-02-24 標(biāo)簽:肖特基二極管快恢復(fù)二極管SBD 2.2k 0
新能源汽車(EVs)正快速成為全球交通工具的主流之一。在新能源汽車的動力系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、充電系統(tǒng)等多個核心環(huán)節(jié)中,二極管作為一種基本的半導(dǎo)體器件,發(fā)...
如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中,過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌...
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