全球領(lǐng)先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力，33W GaN快充迅速上量

外型小巧是該方案的一大特色，其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)更是十分精簡，通過圖片可見，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實(shí)現(xiàn)了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)的...

2021-04-08 標(biāo)簽：氮化鎵GaN英諾賽科 1.2k 0

英諾賽科與ASML簽署合作協(xié)議

ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級(jí)，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。

2021-01-22 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵光刻機(jī) 1.2k 0

英諾賽科鄒艷波：第三代半導(dǎo)體開創(chuàng)新賽道

隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起，第三代半導(dǎo)體材料也開始嶄露頭角。br /?br /電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題， 收到近50位國內(nèi)外半...

2020-12-25 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù)英諾賽科 4.5k 0

英諾賽科半導(dǎo)體蘇州芯片項(xiàng)目主廠順利完成封頂 預(yù)計(jì)2020年可實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)

英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱英諾賽科）是一家專業(yè)從事新型第三代半導(dǎo)體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。近日，芯片項(xiàng)目主廠房經(jīng)過1...

2019-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體英諾賽科 1.3萬 0

英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶蘇州市吳江區(qū)，總投資60億

6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯...

2018-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體英諾賽科 1.2萬 0

最具看點(diǎn)的的中國半導(dǎo)體新貴有哪些

與寒武紀(jì)1A相比，三款新品在功耗、能效比、成本開銷等方面進(jìn)行了優(yōu)化，性能功耗比再次實(shí)現(xiàn)飛躍，適用范圍覆蓋了圖像識(shí)別、安防監(jiān)控、智能駕駛、無人機(jī)、語音識(shí)別...

2018-03-09 標(biāo)簽：寒武紀(jì)比特大陸英諾賽科 4.4k 0