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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。
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隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術節(jié)點，原始的本征氧化隔離技術（LocOS）已不適應。“隔離”是指利用介質材料或反向PN結隔離集成電路的有源區(qū)器件，消除寄...
但隨著技術迭代，晶體管尺寸持續(xù)縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點，銅開始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁，同時采...
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領域有著廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...
為了改善上述蝕刻柱狀結構以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學奧斯丁分校獲得博士學位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...
作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學蝕刻仍然是行業(yè)標準。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細電路圖案的可靠方...
與亞微米工藝類似，側墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質層，從而保護LDD 結構，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結構的擴展區(qū)。側墻是由兩個主要工藝步驟形...
蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間，轉移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉移到最終...
共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...
傳統(tǒng)的2D視覺技術已經(jīng)無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術則以其獨特的優(yōu)勢，輕松地在視野范圍內構建目標物的狀態(tài)，無論是斷差還是孔徑...
在“中國制造”向“中國智造”轉型的浪潮中，精密金屬加工領域正經(jīng)歷著前所未有的技術革新。
濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時間管理及材料特性等因素，具體如下： 溶液體系與濃度 氫氟酸緩沖體系（BOE）：采用HF:NH?F:H?...
濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術的協(xié)同創(chuàng)新
在顯示技術飛速迭代的今天，微型LED、柔性屏、透明顯示等新型器件對制造工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)：更精密的結構、更低的損傷率、更高的量產一致性。作為研發(fā)顯...
靠專利復合陽極箔蝕刻技術，冠坤臺系電容在車規(guī)領域擴充容值密度的 “魔術師”
在電子元器件領域，電容器作為基礎被動元件，其性能直接影響著整個電路的穩(wěn)定性和可靠性。近年來，隨著新能源汽車、智能駕駛等車規(guī)級應用的快速發(fā)展，對電容器的容...
晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導體制造過程中的關鍵環(huán)節(jié)，對于確保芯片的性能和質量至關重要。為此，在目前市場需求的增長情況下，我們來給大家介紹一下詳情。 一、工...
在FR4印刷電路板的表面貼裝工藝中，回流焊接是關鍵環(huán)節(jié)，該環(huán)節(jié)易出現(xiàn)多種缺陷，可分為印刷缺陷與安裝缺陷。常見缺陷有少錫、短路、立碑、偏移、缺件、多件、錯...
影響 PCB 板蝕刻的因素 電路板從發(fā)光板轉變?yōu)轱@示電路圖的過程頗為復雜。當前，電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”，即在電路板外層需保留的銅箔部分（即電...
近來，為提高IC芯片性能，倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實現(xiàn)倒裝芯片鍵合，需要大量的通孔。因此，硅通孔（TSV）被應用。然而，硅有幾個缺點，例如其價格相對較...
由于蝕刻柱狀結構有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學術研究單位最常采用的方法為離子布植法。采用離子布植法作為面射型雷射...
芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導體制造中使用的關鍵技術，主要用于通過化學溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學溶液中以去...
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