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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。
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濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度...
摘要 透明導電氧化物(TCOs)作為薄膜硅(Si)太陽能電池的前電極起著重要作用，因為它們可以提供光學散射，從而改善器件內(nèi)部的光子吸收。本文報道了摻雜鋁...
KOH溶液中使用濕法蝕刻制備具有ZnO納米管的倒置有機太陽能
摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機太陽能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過濕...
引言 氮化鎵因其獨特的性質和在光電和微電子器件中的潛在應用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質外延層中高達108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的...
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不...
光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設備成本相對較低、表面損傷較低的優(yōu)點，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側壁的方法。氮化鎵的裂切...
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結構的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(...
引言 III-V半導體廣泛應用于氣體檢測系統(tǒng)、光電探測器、光遺傳學、生物醫(yī)學應用、高電子遷移率和異質結雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池...
摘要 本文對本克斯使用的鋁蝕刻劑進行調查，以長期提高蝕刻部件的質量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標準。蝕...
我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實現(xiàn)有效的襯底...
引言 氫氧化鉀(KOH)和添加劑2-丙醇(異丙醇，IPA)通常用于單晶硅片的堿性織構化，以減少其反射。氫氧化鉀和異丙醇在水中的蝕刻混合物需要明確定義氫氧...
介紹 于大多數(shù)半導體而言，陽極氧化需要價帶空穴。因此，人們期望該反應發(fā)生在黑暗中的p型半導體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導體。 氫氧化鉀溶液中硅的化...
引言 我們在蝕刻的硅(110)表面上實驗觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關鍵表面位置的相對穩(wěn)定性和（或）反應性。在我們的模型中，小丘...
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術、輪廓術和x光電子能譜...
引言 在使用濕化學硅體微機械加工制造微機電系統(tǒng)時，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...
關鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉變。為了提高信息技術器件的存儲密度，我們?nèi)A...
引言 通過使用透明導電材料，有機發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的提取已經(jīng)成為可能，該透明導電材料應該具有明確定義的電子和光學特性。銦錫氧化物滿足了所有要求，它已迅速...
引言 陶瓷很難蝕刻。它們的化學惰性使它們非常穩(wěn)定，并且通常需要熱蝕刻技術來獲得它們的微結構。我們介紹一項旨在簡化陶瓷蝕刻過程的技術。 陶瓷有著廣泛的應用...
引言 了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。...
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等...
2023-04-23 標簽：蝕刻 620 0
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