MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標準工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌...

2020-09-01 標簽：CMOSmems蝕刻 4.9k 0

PCB板蝕刻工藝說明

PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過程腐蝕未被保護的區(qū)域。有點像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負片工藝之分，正片工藝使用固定的...

2020-07-12 標簽：pcbPCB設(shè)計蝕刻 5.5k 0

基于MDSN?導(dǎo)電膜的超窄邊框大尺寸電容觸控功能片

烘干后的銀漿層厚度在5μm~8μm的范圍內(nèi)，需要用激光蝕刻3~4次，這樣會使得激光蝕刻的效率不高，更會使得激光蝕刻過程中產(chǎn)生大量的銀顆粒，很難被完全吸附...

2020-05-13 標簽：電容電極蝕刻 5.4k 0

SMT的基本知識簡介

SMT的基本知識簡介 1一般來說,SMT車間規(guī)定的溫度為253℃。 2.錫膏印刷時,所需準備的材料及工具錫膏、鋼板﹑刮刀﹑擦拭紙、無塵紙﹑清洗劑﹑攪拌刀...

2020-04-16 標簽：smt錫膏蝕刻 1.4萬 0

蝕刻簡介

PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用...

2020-03-08 標簽：pcb電路板PCB設(shè)計 5.6k 0

去日本化，三星將采用韓國企業(yè)SEMES的蝕刻設(shè)備

三星計劃大量引進韓國企業(yè)SEMES的蝕刻設(shè)備，該設(shè)備原先主要由日本半導(dǎo)體設(shè)備大廠東京威力科創(chuàng)（TEL）提供。韓國業(yè)界期待，韓國半導(dǎo)體設(shè)備能提升前段制程中...

2019-12-19 標簽：三星電子PCB設(shè)計蝕刻 8.2k 0

PCB加工之蝕刻會遇到什么問題

側(cè)蝕問題是蝕刻參數(shù)中經(jīng)常被提出來討論的一項，它被定義為側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比， 稱為蝕刻因子。

2019-09-02 標簽：pcb蝕刻PCB打樣 2.3k 0

影響側(cè)蝕因素

浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側(cè)蝕，潑濺和噴淋式蝕刻側(cè)蝕較小，尤以噴淋蝕刻效果最好。

2019-04-25 標簽：蝕刻 7k 0

蝕刻的注意事項

側(cè)蝕產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長，（或者使用老式的左右搖擺蝕刻機）側(cè)蝕越嚴重。側(cè)蝕嚴重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴重側(cè)蝕將使制作精細導(dǎo)線成為不可能。

2019-04-25 標簽：PCB設(shè)計蝕刻可制造性設(shè)計 4.2k 0

蝕刻的原理

通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達...

2019-04-25 標簽：PCB設(shè)計蝕刻可制造性設(shè)計 1.8萬 0

顯影、蝕刻、去膜（DES）工藝指導(dǎo)書/說明書

顯影、蝕刻、去膜（DES）工藝指導(dǎo)書/說明書 一.目的：本指導(dǎo)書規(guī)定顯影、蝕刻、去膜（DES）工位的工作內(nèi)容和步驟。

2010-03-08 標簽：PCBPCB設(shè)計顯影 1.1萬 0