新一代超高熱導(dǎo)半導(dǎo)體封裝基板——金剛石

關(guān)鍵詞：金剛石，半導(dǎo)體封裝，散熱材料，高端國產(chǎn)材料引言：基板是裸芯片封裝中熱傳導(dǎo)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，高密度組裝、小型化特性愈發(fā)明顯，組件熱...

2023-07-31 標簽：半導(dǎo)體封裝基板 9k 1

金剛石轉(zhuǎn)子或可為蛋白質(zhì)研究帶來新的進展

固態(tài)核磁共振使用的技術(shù)之一是魔角旋轉(zhuǎn)，它提供了改進的分辨率和靈敏度。在這種技術(shù)中，在圓柱體中填充被分析的材料后，將其懸浮在磁場中，并在受到射頻脈沖時使用...

2023-06-14 標簽：核磁共振金剛石 1.5k 0

金剛石半導(dǎo)體，全球首創(chuàng)

與傳統(tǒng)上用于半導(dǎo)體的硅和其他材料相比，金剛石可以承受更高的電壓，可以以更高的速度和頻率運行，并且可以用于外層空間等高輻射環(huán)境。金剛石半導(dǎo)體作為下一代功率...

2023-06-12 標簽：電源電路金剛石功率半導(dǎo)體 3k 0

提高金剛石/石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面的熱輸運

隨著人工智能和高端芯片、微納米器件的快速發(fā)展，芯片的高功率密度導(dǎo)致芯片內(nèi)產(chǎn)生大量的積熱，導(dǎo)致芯片性能和可靠性下降，甚至導(dǎo)致芯片損壞和整個系統(tǒng)損壞。因此，...

2023-04-18 標簽：熱管理金剛石二維材料 1.4k 0

半導(dǎo)體金剛石有什么不同 每種金剛石都能造芯嗎？

不是每種金剛石都能造芯** 金剛石生長主要分為HTHP法（高溫高壓法）和CVD法（化學(xué)氣相沉積法），二者生長方法側(cè)重在不同應(yīng)用，未來相當長時間內(nèi)，...

2023-02-02 標簽：芯片半導(dǎo)體金剛石 3.8k 0

金剛石薄膜熱導(dǎo)率測量的難點和TDTR解決方案

金剛石薄膜的熱導(dǎo)率表征不是一個簡單的問題，特別是在膜層厚度很薄的情況下美國國防部高級研究計劃局（DARPA）的電子熱管理金剛石薄膜熱傳輸項目曾經(jīng)將將來自...

2022-08-09 標簽：金剛石熱導(dǎo)率CVD 3.3k 0

用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

由佐治亞理工學(xué)院機械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個團隊實施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結(jié)果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發(fā)的技術(shù)...

2022-08-08 標簽：工業(yè)功率器件GaN 3.4k 0

關(guān)于多晶金剛石薄膜技術(shù)的研究報告—江蘇華林科納

摘要 厚度約為1毫米的大面積均勻多晶金剛石薄膜在4英寸的襯底上生長并形成圖案。 氧化硅晶片使用集成電路兼容工藝的微系統(tǒng)應(yīng)用。通過在4英寸上旋轉(zhuǎn)金剛石粉末...

2022-01-21 標簽：材料力學(xué)金剛石 1.6k 0

用于CVD金剛石沉積的氮化硅表面預(yù)處理報告

摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標準化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率?？瞻椎铇悠酚媚z體二氧化硅(0.25m)拋...

2022-01-21 標簽：半導(dǎo)體金剛石氮化硅 1.4k 0

金剛石薄膜的等離子體沉積與刻蝕—華林科納半導(dǎo)體

摘要 丁二烯、氫和氬的三元混合物在平行板等離子體反應(yīng)器中沉積了類金剛石碳膜。這些薄膜的蝕刻量為02，cf4/02等離子體放電。推導(dǎo)出了沉積氣體混合物的組...

2022-01-07 標簽：金剛石刻蝕機 1.9k 0