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標(biāo)簽 > 鍵合
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金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合,鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic ...
隨著微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的快速發(fā)展,其在汽車、醫(yī)療、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。MEMS器件由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能特性,對(duì)封裝技術(shù)提出了...
隨著科技的日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)已深深植根于我們的日常生活,無論是智能手機(jī)、計(jì)算機(jī),還是各式各樣的智能裝置,半導(dǎo)體芯片均扮演著核心組件的角色,其性能表現(xiàn)與...
在芯片制造領(lǐng)域,鍵合技術(shù)是一項(xiàng)至關(guān)重要的工藝,它直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性以及生產(chǎn)成本。本文將深入探討芯片制造技術(shù)中的鍵合技術(shù),包括其基本概念、分類、...
混合鍵合(Hybrid Bonding)是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成,無需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法...
晶圓鍵合技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,它通過將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合,形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS(...
集成電路預(yù)鍍框架銅線鍵合封裝在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)第二鍵合點(diǎn)失效,通過激光開封和橫截面分析,鍵合失效與電化學(xué)腐蝕機(jī)理密切相關(guān)。通過 2 000 h 高溫存儲(chǔ)試...
在微電子封裝領(lǐng)域,金絲鍵合(Wire Bonding)工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù),扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細(xì)金屬線(主要是金絲)將芯片上的焊...
3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù),是業(yè)界對(duì)系統(tǒng)級(jí)更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應(yīng)。3D 堆疊正在電子系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)的不同級(jí)別(從封裝...
共讀好書 周巖 劉勁松 王松偉 彭庶瑤 彭曉飛 (沈陽理工大學(xué) 中國科學(xué)院金屬研究所師昌緒先進(jìn)材料創(chuàng)新中心江西藍(lán)微電子科技有限公司) 摘要: 目前,鍵合...
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
為了提高功率模塊銅線鍵合性能,采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法,結(jié)合BP(Back Propaga‐tion)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法,提出了一種銅線鍵合工藝參...
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
歡迎了解 胡彪成蘭仙李振鈴戴小平 (華南農(nóng)業(yè)大學(xué)湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心) 摘要: 為了提高功率模塊銅線鍵合性能,采用6因素5...
2024-01-02 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)功率模塊鍵合 1.3k 0
使用鍵合線對(duì)以太網(wǎng)電纜能確保惡劣環(huán)境下的連接性
作者:Stephen Evanczuk 投稿人:DigiKey 北美編輯 隨著向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 的遷移,采用大量傳感器和執(zhí)行器的工業(yè)環(huán)境對(duì)提高...
自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接(Controlled Collapse Chip Connect,C4)技術(shù),或稱倒裝芯片技術(shù),凸點(diǎn)...
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