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標(biāo)簽 > 鍵合
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基于正交試驗(yàn)方法對(duì)鍵合金絲質(zhì)量影響研究
金絲鍵合技術(shù)是微電子領(lǐng)域的封裝技術(shù),一般采用金線,利用熱、壓、超聲共同作用,完成微電子器件中電路內(nèi)部連接,即芯片和電路或者引線框架之間的互連。本文在深入...
在微電子封裝中,引線鍵合是實(shí)現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號(hào)輸入輸出的重要方式,鍵合的質(zhì)量直接關(guān)系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針...
本文通過對(duì)典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對(duì)各種失效模式...
先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展
Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是先進(jìn)封裝的核心技術(shù),相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝,其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強(qiáng)、可靠性更優(yōu). 文中對(duì)應(yīng)用于先...
晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓,在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起,該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛...
回顧過去五六十年,先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。提升的主要?jiǎng)恿碜匀龢O管數(shù)量的增加來實(shí)現(xiàn),而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作...
球柵陣列 (Ball Crid Array, BGA)封裝在封裝基板底部植球,以此作為電路的 I/O接口,因此大大提升了 IC 的接口數(shù)量,并因其I/O...
回顧過去五六十年,先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。 提升的主要?jiǎng)恿碜匀龢O管數(shù)量的增加來實(shí)現(xiàn),而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的...
金線與金線短路 客戶: Atheros (CABGA) 不良: 金線與金線引腳短路 失效模式: 測(cè)試失效 (短路)
封裝互連是指將芯片I/0端口通過金屬引線,金屬凸點(diǎn)等與封裝載體相互連接,實(shí)現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合( Wire Bonding, WB...
金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力,因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力,希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來代替金線鍵合。
金絲鍵合是微組裝制造工藝的關(guān)鍵工序,為解決電子產(chǎn)品金絲球焊合格率低的問題,根據(jù)金絲球焊的鍵合原理和工作過程,選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時(shí)間、加熱臺(tái)溫...
金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到...
本實(shí)驗(yàn)通過這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識(shí)分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組,進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在...
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