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標(biāo)簽 > 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)
目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對(duì)市場(chǎng)影響有...
2019-05-16 標(biāo)簽:DDR4閃存技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.1k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ):力求技術(shù)“無(wú)時(shí)差”,國(guó)際技術(shù)水平最近的一次
國(guó)內(nèi)首家 NAND Flash 大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產(chǎn),這個(gè)時(shí)間點(diǎn)加入全球存儲(chǔ)競(jìng)賽堪稱(chēng)是“最混亂的時(shí)代”...
2019-05-08 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6.2k 0
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)64層3D閃存
據(jù)Digitimes報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.3k 0
紫光存儲(chǔ)發(fā)布企業(yè)級(jí)SSD新品 采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3DNAND
近日,紫光存儲(chǔ)在第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)中展出了一款面向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的固態(tài)硬盤(pán)P8260。
2019-04-19 標(biāo)簽:SSD紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6.4k 0
預(yù)測(cè)2019年電子行業(yè)和IT行業(yè)的未來(lái)
對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái),2019年具有非常重要的意義。
2019-01-27 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.6k 0
三星東芝轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程 2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)大洗牌
據(jù)DIGITIMES Research估計(jì),NAND Flash位元出貨量從2017年起連續(xù)呈現(xiàn)3~4成的成長(zhǎng)率,包括在2017年成長(zhǎng)36%、2018年...
2019-01-03 標(biāo)簽:三星電子NAND Flash長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)
談到NAND閃存,或者說(shuō)以它為代表的SSD產(chǎn)品,多數(shù)人對(duì)速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上,但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口,LG...
2018-11-26 標(biāo)簽:閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.8萬(wàn) 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在2019年全速量產(chǎn) 2020年會(huì)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司
NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話(huà)語(yǔ)權(quán),甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能,想獲得突破...
2018-11-23 標(biāo)簽:閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.3萬(wàn) 0
聯(lián)電專(zhuān)利大律師跳槽入長(zhǎng)江存儲(chǔ)
近日,網(wǎng)友爆料一大消息。說(shuō)聯(lián)電內(nèi)部一專(zhuān)利大律師, 跳槽進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ),據(jù)稱(chēng)此律師極力反對(duì)聯(lián)電晉華狀告美光。但值得注意的是,聯(lián)電在福建狀告美光沒(méi)有聽(tīng)從此律師...
2018-11-12 標(biāo)簽:聯(lián)電長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.5k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片
據(jù)報(bào)道,紫光投資的長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳來(lái)新動(dòng)態(tài)。
2018-09-26 標(biāo)簽:閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.1k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來(lái)荷蘭光刻機(jī),國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)將更上一層樓
貿(mào)易戰(zhàn)一波三折,目前兩方還是在互懟的狀態(tài)。。。6月15日,美國(guó)白宮宣布對(duì)從中國(guó)進(jìn)口的、含重要工業(yè)技術(shù)的500億美元商品征收25%的關(guān)稅,并提到這些商品...
2018-09-25 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤(pán)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 8.7k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)和華力微設(shè)備采購(gòu)清單曝光!
2018是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備拐點(diǎn)之年伴隨晶圓廠向國(guó)內(nèi)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,國(guó)內(nèi)迎來(lái)晶圓廠的建設(shè)熱潮。
2018-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.2萬(wàn) 0
Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,64層3D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨
集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NA...
2018-09-20 標(biāo)簽:3d長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6.1k 0
2018全球上游存儲(chǔ)市場(chǎng)格局與前景分析
存儲(chǔ)器是我們最常見(jiàn)的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品之一,也是應(yīng)用非常廣泛的一種半導(dǎo)體器件,存儲(chǔ)分為上游、中游、下游市場(chǎng),我們接觸最多的是中下游市場(chǎng),而對(duì)存儲(chǔ)上游市場(chǎng)似乎并...
2018-09-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.1k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量
2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌,由于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)平緩,業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢(shì),隨著國(guó)際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時(shí)代技術(shù)堆...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年量產(chǎn)64層128Gb的存儲(chǔ)器,突破國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片“零”實(shí)現(xiàn)
繼2017年5月言辭犀利地抨擊了高通在華投資企業(yè)瓴盛科技后,紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)在首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上又“懟”上了高通。
2018-08-25 標(biāo)簽:nand存儲(chǔ)器長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.2萬(wàn) 0
3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗,相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)
3D NAND通過(guò)設(shè)備中堆疊的層數(shù)來(lái)量化。隨著更多層的添加,位密度增加。今天,3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備,盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù),它...
2018-08-23 標(biāo)簽:智能手機(jī)固態(tài)存儲(chǔ)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.3萬(wàn) 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”
日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)的...
2018-08-15 標(biāo)簽:NAND閃存技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6.8k 0
莫大康:貿(mào)易戰(zhàn)下的中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)
人無(wú)遠(yuǎn)慮,必有近憂(yōu)”,要作好最壞時(shí)刻的預(yù)案準(zhǔn)備,中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)一定會(huì)由危機(jī)轉(zhuǎn)為契機(jī)。今天來(lái)看貿(mào)易戰(zhàn)可能有些“緊張”,但是相信再過(guò)幾年之后,隨著中國(guó)的國(guó)力繼...
2018-08-14 標(biāo)簽:中芯國(guó)際中微半導(dǎo)體華虹半導(dǎo)體 1.1萬(wàn) 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM
作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.3k 0
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