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      標(biāo)簽　>　閂鎖效應(yīng)

      閂鎖效應(yīng)

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      閂鎖效應(yīng)技術(shù)

      CMOS集成電路中閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生與防護(hù)

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      閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險(xiǎn)的寄生效應(yīng)，可能導(dǎo)致芯片瞬間失效甚至永久燒毀。它的本質(zhì)是由芯片內(nèi)部的寄生PNP和NPN雙極型晶體...

      2025-10-21 標(biāo)簽：集成電路CMOS閂鎖效應(yīng) 2.5k 0

      TMUX9616/TMUX9616N 220V高壓16通道開(kāi)關(guān)技術(shù)解析

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      Texas Instruments TMUX9616 220V高壓16通道開(kāi)關(guān)是一款具有閂鎖效應(yīng)抑制的低電阻、低電容模擬開(kāi)關(guān)集成電路 (IC)。該模塊提...

      2025-08-08 標(biāo)簽：集成電路低電容模擬開(kāi)關(guān) 1.3k 0

      閂鎖效應(yīng)的形成原理和測(cè)試流程

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      在CMOS電路中，存在寄生的PNP和NPN晶體管,它們相互影響在VDD與GND間產(chǎn)生一低阻通路，形成大電流，燒壞芯片，這就是閂鎖效應(yīng)，簡(jiǎn)稱latch-up。

      2025-07-03 標(biāo)簽：ESD晶體管NPN 4.4k 0

      閂鎖效應(yīng)的工作原理

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      LU是 Latch Up的簡(jiǎn)寫(xiě)，即閂鎖效應(yīng)，也叫可控硅效應(yīng)，表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書(shū)中通常...

      2025-03-24 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體PMOS 3.1k 0

      一文搞懂閂鎖效應(yīng)：電路里的“定時(shí)炸彈”與防護(hù)指南

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      CMOS工藝中的寄生晶閘管(SCR)結(jié)構(gòu)，是由NMOS和PMOS的寄生NPN/PNP晶體管相互連接形成的。這些寄生晶體管平時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)，但當(dāng)受到電壓尖...

      2025-03-21 標(biāo)簽：CMOS電路閂鎖效應(yīng) 1.6k 0

      芯片失效機(jī)理之閂鎖效應(yīng)

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      ?閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是?CMOS工藝中一種寄生效應(yīng)，通常發(fā)生在CMOS電路中，當(dāng)輸入電流過(guò)大時(shí)，內(nèi)部電流急劇增加，可能導(dǎo)致電路失效甚至燒毀芯片...

      2024-12-27 標(biāo)簽：芯片CMOS二極管 5.6k 0

      如何正確選用SCR架構(gòu)TVS以避免閂鎖效應(yīng)

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      AMAZINGIC晶焱科技如何正確選用SCR架構(gòu)TVS以避免閂鎖效應(yīng)

      2024-08-12 標(biāo)簽：TVSSCR架構(gòu) 3.8k 0

      芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up

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      閂鎖效應(yīng)，latch up，是個(gè)非常重要的問(wèn)題?，F(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡(jiǎn)單地梳理一下LUP的一些問(wèn)題。

      2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 6k 0

      閂鎖效應(yīng)（Latch-up）原理及其抑制方法解析

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      閂鎖效應(yīng)：實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個(gè)BJT管子(下圖中，側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

      2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 2.6萬(wàn) 0

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      2023-09-18 標(biāo)簽：晶體管閂鎖效應(yīng)航順芯片 2.6k 0

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      2021-11-18 標(biāo)簽：CMOS單片機(jī)閂鎖效應(yīng) 5.5k 0

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        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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