通過(guò)Boot swap實(shí)現(xiàn)瑞薩RL78/F24 MCU固件升級(jí)

本文主要說(shuō)明如何使用已有的程序更新flash中的固件。使用這種方法代碼閃存分為兩個(gè)區(qū)域：執(zhí)行區(qū)域和臨時(shí)區(qū)域。瑞薩flash驅(qū)動(dòng)程序RL78 RFD Ty...

2025-02-26 標(biāo)簽：閃存瑞薩程序 4k 0

如何使用高速NOR閃存配置FPGA

NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來(lái)的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS（高級(jí)...

2019-02-23 標(biāo)簽：FPGA閃存 4k 0

架構(gòu)/顆粒/接口/可靠性全面解析：最全面的閃存技術(shù)大普及

閃存最明顯特點(diǎn)就是穩(wěn)定性能，低時(shí)延和高隨機(jī)IOPS。對(duì)于閃存，在評(píng)估性能時(shí)，我們一般主要關(guān)注90% IO落入規(guī)定的時(shí)延范圍（性能是一個(gè)線性范圍，而不是...

2018-06-12 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)技術(shù) 3.9k 0

淺談關(guān)于嵌入式閃存的一些錯(cuò)誤觀念

多年來(lái)，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過(guò)300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率...

2018-05-18 標(biāo)簽：閃存嵌入式 3.8k 0

使用ONFI 1到4加速前進(jìn)：50到800MBps

閃存最初是隨著外部存儲(chǔ)設(shè)備（例如USB存儲(chǔ)設(shè)備）進(jìn)入家庭的，容量非常適中，只有幾MB，現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到數(shù)百GB?，F(xiàn)在，它已經(jīng)無(wú)處不在，從智能手機(jī)到物聯(lián)網(wǎng)、可...

2023-05-26 標(biāo)簽：閃存usb物聯(lián)網(wǎng) 3.6k 0

eMMC主控的定義和主要功能

eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲(chǔ)卡。eMMC采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的接口，把高容量NAND Flash...

2024-11-09 標(biāo)簽：閃存控制器NAND 3.5k 0

計(jì)算機(jī)SSD行業(yè)分類及產(chǎn)業(yè)鏈分析

固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）是一種由固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列構(gòu)成的存儲(chǔ)設(shè)備，由控制單元和存儲(chǔ)單元組合而成。其接口規(guī)范、功能和使用方法與傳統(tǒng)硬盤(pán)完全一致，外形和尺寸也...

2023-10-12 標(biāo)簽：閃存SSD數(shù)據(jù)中心 3.5k 0

選擇閃存陣列時(shí)需要注意的事項(xiàng)

高性能的閃存的開(kāi)發(fā)和采購(gòu)迅速增長(zhǎng)成為了投資閃存的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。這其中包括任務(wù)關(guān)鍵型事務(wù)數(shù)據(jù)庫(kù)、分析和高性能計(jì)算工作負(fù)載、虛擬桌面基礎(chǔ)設(shè)施(VDI)，以及...

2018-08-01 標(biāo)簽：閃存服務(wù)器 3.5k 0

拯救NAND/eMMC：延長(zhǎng)閃存壽命

隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)...

2025-03-25 標(biāo)簽：閃存NANDemmc 3.5k 0

華為P10內(nèi)存門(mén)仍在發(fā)酵，讓我們?cè)敿?xì)解析一下幾種存儲(chǔ)技術(shù)的特點(diǎn)

隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及，以及手機(jī)處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對(duì)于內(nèi)存讀寫(xiě)性能的要求，新一代的通用閃存儲(chǔ)存（UFS）...

2017-04-21 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)技術(shù)ufs2.1 3.4k 0

技術(shù)資料#TMS320F280049 具有 100 MHz、FPU、TMU、256 KB 閃存、CLA、PGA 和 SDFM 的 C2000? 32 位 MCU

C2000? 32 位微控制器針對(duì)處理、傳感和驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化，可改善工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等實(shí)時(shí)控制應(yīng)用中的閉環(huán)性能;太陽(yáng)能逆變器和數(shù)字電源;電動(dòng)汽車和運(yùn)輸;電...

2025-02-26 標(biāo)簽：微控制器閃存電機(jī)控制 3.3k 0

使用MAX1452進(jìn)行遠(yuǎn)程傳感器補(bǔ)償

MAX1452高性能模擬信號(hào)調(diào)理器可通過(guò)片內(nèi)閃存查找表或OTC和FSOTC DAC進(jìn)行線性補(bǔ)償。對(duì)于MAX1452和傳感器不能處于同一溫度的應(yīng)用（例如，...

2023-02-20 標(biāo)簽：傳感器閃存dac 3.3k 0

使用Vivado通過(guò)AXI Quad SPI實(shí)現(xiàn)XIP功能

本博客提供了基于2023.2 Vivado的參考工程，展示如何使用Microblaze 地執(zhí)行（XIP）程序，并提供一個(gè)簡(jiǎn)單的bootloader。

2024-10-29 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器程序 3.1k 0

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-01 標(biāo)簽：閃存NANDFlaSh 3.1k 0