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閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。

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閾值電壓資訊

安世半導體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...

2024-05-22 標簽：MOSFET 體二極管充電樁 2.3k 0

合科泰推出一款可用于高壓電源和電機驅(qū)動的高壓MOS管HKTD7N65

高壓MOS管在很多場景應用，通常高壓MOS的特點是溝道區(qū)寬、漏極區(qū)大、導通損耗小、低導通電阻、耐高電壓、高開關(guān)速度、柵極采用特殊工藝等，這些特點使得它的...

2024-05-17 標簽：MOS管高壓電源電機驅(qū)動 2.2k 0

昕感科技發(fā)布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0

近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合...

2024-05-11 標簽：新能源 MOSFET IGBT 2.1k 0

什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的？

什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的？亞閾值區(qū)在 MOSFET器件中的作用及優(yōu)點? MOS管亞閾值電壓指的是在MOSFET器件...

2024-03-27 標簽：MOSFET MOS管閾值電壓 7.7k 0

合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08

大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性，在大功率應用場景如電車、儲能電站、光伏等高功率應用上具有重要作用。

2024-03-22 標簽：鋰離子電池 MOS管導通電阻 3.2k 0

安世半導體SiC MOSFET器件都有哪些獨特功能呢？

碳化硅(SiC) MOSFET 日益普及的背后有一些關(guān)鍵的驅(qū)動因素，包括充電站、太陽能光伏(PV)、電動汽車(EV)驅(qū)動、不間斷電源(UPS)和電池儲能...

2024-03-21 標簽：MOSFET 碳化硅閾值電壓 2k 0

邁來芯推出一款集成本地互連網(wǎng)絡（LIN）接口的智能24通道LED驅(qū)動芯片

自汽車工業(yè)誕生以來，安全性始終是汽車設計的重中之重。與乘客直接互動的汽車系統(tǒng)，如氣囊和安全帶，對于確保乘客在車輛內(nèi)的安全至關(guān)重要。

2024-03-15 標簽：電動汽車 LED驅(qū)動芯片充電樁 2.5k 0

解鎖芯盛智能PCIe SSD—DP2100產(chǎn)品技術(shù)關(guān)鍵詞

工業(yè)領(lǐng)域與行業(yè)領(lǐng)域?qū)υO備的要求較高，相關(guān)產(chǎn)品需要經(jīng)過高低溫、濕熱、鹽霧、振動、沖擊等標準評估，同時還要求在惡劣環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。

2024-03-06 標簽：晶體管 SSD PCIe 1.9k 0

半波整流電路工作原理和特點

半波整流電路工作原理和特點? 半波整流電路是一種常見的電路設計，它能將交流電信號轉(zhuǎn)換成直流電信號。在本文中，我們將詳細介紹半波整流電路的工作原理和特點。...

2024-02-01 標簽：閾值電壓半波整流電路 4.9k 0

比較器的帶寬由什么決定？比較器的Slew Rate由什么決定？

比較器的帶寬由什么決定？比較器的Slew Rate由什么決定？比較器的帶寬和Slew Rate是兩個關(guān)鍵指標，決定了比較器在工作中的性能表現(xiàn)。首先我...

2024-01-31 標簽：比較器閾值電壓 5.3k 0

碳化硅SIC將會發(fā)力電動汽車？

碳化硅在功率半導體市場（尤其是電動汽車）中越來越受歡迎，但對于許多應用來說仍然過于昂貴。

2024-01-29 標簽：電動汽車功率半導體 FinFET 4.8k 0

新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導通損耗、快速開關(guān)速度等特點

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淺析SiC MOS新技術(shù)：溝道電阻可降85%

我們知道，SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導通電阻和閾值電壓等問題，最近，日本東北大學提出了一項新的外延生長技術(shù)，據(jù)說可以...

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影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）是一種常用的半導體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET...

2023-09-17 標簽：MOSFET DIP封裝晶體管 1.7萬 0

脈沖發(fā)生器工作原理脈沖信號怎么產(chǎn)生？產(chǎn)生脈沖信號的方法

脈沖發(fā)生器工作原理脈沖信號怎么產(chǎn)生？產(chǎn)生脈沖信號的方法? 脈沖發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生高頻脈沖信號的電子設備，它可以將電信號轉(zhuǎn)化成為時間間隔相等的脈沖信號...

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基于CMOS閾值電壓的基準電路設計

在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設計方案，電路中不使用雙極晶體管...

2012-10-10 標簽：CMOS 閾值電壓基準電路 6.7k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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