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標簽 > 驅(qū)動電壓
驅(qū)動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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傾佳電子碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓解析：-5V的必要性及-5V/+18V作為技術(shù)能力檢驗標準的深層原因
傾佳電子碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓解析：-5V的必要性及-5V/+18V作為技術(shù)能力檢驗標準的深層原因 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...
BTP1521P解決IGBT模塊升級SiC模塊的正負驅(qū)動電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟性以及應用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢，使其成為電力電子應用中的首選，推動了IGBT模塊向SiC模塊...
驅(qū)動電壓和電壓調(diào)節(jié)是二相步進電機的精準性能策劃
二相步進電機的工作原理基于電流在兩個相位之間切換，從而產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的磁場，驅(qū)動電機轉(zhuǎn)動。因此，驅(qū)動電壓對電機的性能起著決定性的影響。驅(qū)動電壓的高低不僅決定了...
瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
瞻芯電子推出第二代650V車規(guī)級TO263-7封裝助力高效高密應用
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規(guī)級可靠性認證，該產(chǎn)品采用...
合工大研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近紅外窄帶光電探測器
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，合肥工業(yè)大學微電子學院先進半導體器件與光電集成實驗室的王莉副教授和羅林保教授團隊，成功研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近...
提升液晶透鏡成像質(zhì)量的方法：減少由液晶材料取向波動引起的霧度
液晶（LC）透鏡的霧度一直是虛擬現(xiàn)實（VR）/增強現(xiàn)實（AR）及其它光學應用中存在的問題，但是一項新的研究成果為工程師和研究人員增進了對霧度產(chǎn)生的根本原...
2023-12-11 標簽：機器視覺虛擬現(xiàn)實LCM 2.5k 0
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通...
igbt怎樣導通和關(guān)斷？igbt的導通和關(guān)斷條件
igbt怎樣導通和關(guān)斷？igbt的導通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開...
寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應用于許多電子設...
開關(guān)電源噪音解決方案 開關(guān)電源是一種能夠?qū)?00V-260V交流電轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的5V、12V、24V直流電的電子設備，這種電源通過高頻開關(guān)電路將輸入的電壓...
2023-08-29 標簽：轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電解電容 8.1k 0
場效應管和晶體管的主要區(qū)別 場效應管和晶體管是兩種不同的半導體器件，它們的工作原理和應用場合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導體器件，但它們在制造、結(jié)構(gòu)...
2023-08-25 標簽：放大器場效應管調(diào)制解調(diào)器 7.4k 0
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，新加坡國立大學（National University of Singapore）和新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所...
2023-08-03 標簽：聲波傳感器ASIC技術(shù)換能器 3.3k 0
InGaAs單光子探測器已廣泛應用于激光三維成像、長距離高速數(shù)字通訊、自由空間光通信和量子通訊等。
當以推薦的高(1)或低(0)電平驅(qū)動該輸入時，PMOS和NMOS FET一次導通一個，絕不會同時導通。輸入驅(qū)動電壓有一個不確定區(qū)，稱為“閾值區(qū)域”，其中...
開關(guān)特性是由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示的功率半導體開關(guān)器件最重要的特性之一。
隨著制備技術(shù)的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及...
富昌電子SiC設計分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
? ? 隨著制備技術(shù)的進步，碳化硅（SiC）器件與模塊，在需求的不斷拉動下，成本逐年降低， 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用得到了極大的加速。其中，新能源汽車，可再...
不同型號的MOS管由于結(jié)構(gòu)，制程，工藝的不同，其開啟電壓也是不同的，如下圖所示，有些開啟電壓1.5V即可，有些則要4.5V，那么我們在驅(qū)動對應的MOS時...
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